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FDMS86103L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250µA 60nC@ 10 V 1个N沟道 100V 8mΩ@ 12A,10V 12A,49A 3.71nF@50V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: FDMS86103L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86103L

FDMS86103L概述

    FDMS86103L N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    产品简介


    FDMS86103L是一款N沟道屏蔽栅电源沟槽(PowerTrench®)MOSFET,由Fairchild Semiconductor开发并被ON Semiconductor收购后继续生产。该产品专为高效的直流-直流转换应用设计,具有出色的导通电阻(Rds(on))和开关性能。通过采用先进的硅和封装组合技术,该产品能够在低导通电阻条件下实现高效率,特别适用于需要高电流和高可靠性的场合。

    技术参数


    以下是FDMS86103L的关键技术参数:
    - 最大漏源电压(VDS): 100 V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在TC = 25°C时为81 A
    - 在TC = 100°C时为51 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 312 mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - 在TC = 25°C时为104 W
    - 在TA = 25°C时为2.5 W
    - 热阻(RθJC): 1.2°C/W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C至+150°C
    - 静态漏源导通电阻(rDS(on)):
    - 在VGS = 10 V,ID = 12 A时为8 mΩ
    - 在VGS = 4.5 V,ID = 10 A时为11 mΩ
    - 反向恢复时间(trr): 57-90 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 68-108 nC

    产品特点和优势


    FDMS86103L具备以下显著特点和优势:
    - Shielded Gate MOSFET技术:该技术可以减少栅极噪声和电磁干扰,提高系统的可靠性。
    - 低导通电阻(rDS(on)):这使得FDMS86103L能够在高频开关应用中保持较低的功耗,提升整体能效。
    - 高级封装设计:采用MSL1认证的封装,增强了散热性能和长期可靠性。
    - 100%UIL测试:确保产品质量和可靠性。
    - RoHS合规:符合环保标准,有利于产品的可持续发展。

    应用案例和使用建议


    FDMS86103L主要用于DC-DC转换器等电力电子应用中。例如,在服务器电源供应器中,它可以帮助降低电路损耗,提高整体能效。
    使用建议:
    - 热管理:在使用过程中,注意散热管理以避免过热,尤其是在高电流工作环境下。
    - 驱动电路设计:合理设计栅极驱动电路,避免过高的栅极电压导致的损坏。
    - EMI滤波:由于该产品采用了屏蔽栅技术,需确保合适的EMI滤波设计以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    FDMS86103L的产品型号可能因系统集成而发生变化,具体变化请参考ON Semiconductor官网上的更新信息。ON Semiconductor提供全面的技术支持和产品文档,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定产品型号的更改?
    - 解决方案:请访问ON Semiconductor官网,查找最新发布的型号变更通知。
    - 问题:如何解决过温保护问题?
    - 解决方案:优化散热设计,确保工作环境温度不超过最大限制,并定期检查和维护散热系统。

    总结和推荐


    FDMS86103L凭借其卓越的导通电阻和高可靠性,成为DC-DC转换应用的理想选择。对于需要高效能、高可靠性的电力电子系统,FDMS86103L无疑是一个值得推荐的产品。然而,在实际应用中需要注意适当的热管理和EMI防护措施,以确保最佳性能和长期稳定运行。

FDMS86103L参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 12A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.71nF@50V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.5W(Ta),104W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 60nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 12A,49A
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS86103L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86103L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86103L FDMS86103L数据手册

FDMS86103L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 12.1863
50+ ¥ 11.6989
100+ ¥ 11.3089
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起订量: 10 增量: 0
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