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FQP12P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W(Tc) 30V 4V@ 250µA 27nC@ 10V 1个P沟道 100V 290mΩ@ 5.75A,10V 11.5A 800pF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: Q-FQP12P10
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQP12P10

FQP12P10概述

    FQP12P10 P-Channel QFET® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP12P10 是一款 P 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术制造。它特别设计用于最小化导通电阻、提供出色的开关性能,并能在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。这款 MOSFET 主要适用于低电压应用,例如音频放大器、高效率开关 DC/DC 转换器和直流电机控制。

    技术参数


    以下是 FQP12P10 的主要技术参数:
    | 参数 | 描述 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS | 源极到漏极击穿电压 -100 V |
    | ID | 漏极连续电流(TC = 25°C) -11.5 A|
    | ID | 漏极连续电流(TC = 100°C) -8.1 A |
    | IDM | 漏极脉冲电流(注1) -46 A |
    | VGSS | 栅极-源极电压 | ± 30 V |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量(注2) 370 mJ |
    | IAR | 雪崩电流(注1) -11.5 A|
    | EAR | 重复雪崩能量(注1) 7.5 mJ |
    | PD | 功耗(TC = 25°C) 75 W |
    | TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | -55 至 +175 °C |
    | RDS(on) | 导通电阻(VGS = -10 V, ID = -5.75 A) 290 mΩ |
    | Ciss | 输入电容(VDS = -25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz) 620 pF |
    | Coss | 输出电容 220 pF |
    | Crss | 反向传输电容 65 pF |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:典型值为 21 nC,有助于降低开关损耗。
    - 低 Crss:典型值为 65 pF,有助于提高高频开关性能。
    - 100% 雪崩测试:确保器件可靠性。
    - 高温耐受性:最高结温可达 175°C,适用于高温环境。

    应用案例和使用建议


    FQP12P10 主要应用于低电压应用领域,例如:
    - 音频放大器:可以实现高效且稳定的信号放大。
    - 高效率开关 DC/DC 转换器:低导通电阻和低栅极电荷有助于提高转换效率。
    - 直流电机控制:可靠的工作特性和高温耐受性使其适合复杂的工作环境。
    使用建议:
    - 在高电流环境下使用时,确保散热措施到位,以避免过热损坏。
    - 在高频应用中,考虑使用额外的电容器来稳定栅极电压。

    兼容性和支持


    - 封装形式:TO-220 封装,适用于标准 PCB 装配。
    - 供应商支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流应用中,器件温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热片或改善 PCB 散热设计。

    2. 问题:栅极驱动不稳定导致开关失效。
    - 解决方案:确保驱动电路稳定,并考虑添加额外的滤波电容器。

    总结和推荐


    FQP12P10 是一款优秀的 P 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和高耐受性等特点,适用于多种低电压应用。其可靠的性能和广泛的应用场景使得该产品在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐使用 FQP12P10 在需要高性能和高可靠性的应用场景中。

FQP12P10参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 800pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 290mΩ@ 5.75A,10V
Id-连续漏极电流 11.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 75W(Tc)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
栅极电荷 27nC@ 10V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQP12P10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQP12P10数据手册

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FQP12P10封装设计

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