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NTMYS010N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 38 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: 3236751
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS010N04CLTWG

NTMYS010N04CLTWG概述

    NTMYS010N04CL Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMYS010N04CL 是一款功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),设计用于高效且紧凑的应用场景。它的主要功能包括低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,低栅极电荷(QG)和电容以减少驱动损耗。NTMYS010N04CL 在多种电子设备中广泛应用,例如电源管理、电机控制、通信设备及汽车电子系统。

    2. 技术参数


    以下是 NTMYS010N04CL 的技术规格和性能参数:
    - 最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = 40 V
    - 栅源电压:VGS = ±20 V
    - 持续漏极电流:TJ = 25°C 时,ID = 38 A;TJ = 100°C 时,ID = 27 A
    - 脉冲漏极电流:TJ = 25°C 时,tp = 10 μs 时,IDM = 187 A
    - 结温范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 开启时栅极阈值电压:VGS(TH) = 1.2 V 至 2.0 V
    - 导通电阻:VGS = 10 V 时,ID = 20 A,RDS(on) = 10.3 mΩ;VGS = 4.5 V 时,ID = 20 A,RDS(on) = 17.6 mΩ
    - 输入电容:CISS = 570 pF
    - 输出电容:COSS = 230 pF
    - 反向转移电容:CRSS = 11 pF
    - 栅极总电荷:VGS = 10 V 时,QG(TOT) = 7.3 nC

    3. 产品特点和优势


    - 小型封装:尺寸为 5x6 mm,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 10.3 mΩ,有效降低传导损耗。
    - 低栅极电荷和电容:QG(TOT) = 7.3 nC,减少驱动损耗。
    - LFPAK4 封装:行业标准封装,便于组装和制造。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:环保材料,适用于各种应用。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMYS010N04CL 可广泛应用于以下领域:
    - 电源管理:高效率转换,适用于开关电源。
    - 电机控制:快速开关性能,提高系统效率。
    - 通信设备:低功耗,提高设备可靠性。
    - 汽车电子系统:高温环境下的可靠运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保电源电压不超过 40 V,以避免损坏。
    - 使用适当的散热措施,尤其是在高功率应用中,以保证器件稳定工作。

    5. 兼容性和支持


    NTMYS010N04CL 兼容多种电路板和模块。ON Semiconductor 提供详细的技术支持和客户支持服务,包括在线文档库、电话技术支持和电子邮件支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:器件在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇,确保器件工作温度不超出范围。

    - 问题 2:器件工作时产生大量热。
    - 解决方案:优化电路设计,减少不必要的功耗,增加散热措施。

    7. 总结和推荐


    NTMYS010N04CL 功率 MOSFET 集成了诸多优点,如小型封装、低导通电阻、低栅极电荷和电容等,使其成为众多应用领域的理想选择。由于其高性能和可靠性,我们强烈推荐使用这款产品。如有任何疑问或需要更多支持,请联系 ON Semiconductor 的技术支持团队。
    通过综合以上各方面信息,我们可以看到 NTMYS010N04CL 功率 MOSFET 在性能和适用性上都表现出色,是值得推荐的产品。

NTMYS010N04CLTWG参数

参数
最大功率耗散 3.8W(Ta),28W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 570pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 20µA
栅极电荷 7.3nC@ 10 V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10.3mΩ@ 20A,10V
Id-连续漏极电流 38A
长*宽*高 5mm(长度)
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMYS010N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS010N04CLTWG数据手册

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NTMYS010N04CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 9.6832
10+ ¥ 7.8512
100+ ¥ 7.197
500+ ¥ 7.0661
3000+ ¥ 7.0661
6000+ ¥ 7.0661
9000+ ¥ 7.0661
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