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NTS4001NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 330mW(Ta) 20V 1.5V@ 100µA 1.3nC@ 5 V 1个N沟道 30V 1.5Ω@ 10mA,4V 270mA 33pF@5V 30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4 贴片安装 2.1mm*1.24mm*900μm
供应商型号: 31M-NTS4001NT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTS4001NT1G

NTS4001NT1G概述

    # NTS4001N/NVS4001N MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    NTS4001N 和 NVS4001N 是一种单通道、N沟道的小信号MOSFET,采用SC-70封装。这些器件广泛应用于需要快速开关速度、低功耗和小尺寸的应用场景。其主要功能包括用作低侧负载开关,适用于锂离子电池供电设备(如手机、PDA和数码相机)的控制电路,也常用于降压转换器和电平移位电路中。
    主要功能
    - 快速开关:低栅极电荷确保了高速开关性能。
    - 小巧设计:相比传统TSOP-6封装,占板面积减少了30%。
    - 高可靠性:具有静电放电保护功能,符合AEC-Q101标准。
    - 环保合规:无铅设计且符合RoHS规范。
    应用领域
    - 手机和平板电脑
    - 数码相机和其他便携式电子产品
    - 电源管理模块
    - 车载电子系统

    技术参数


    以下是该系列MOSFET的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 30 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 270 | - | mA |
    | 功率耗散 | PD | - | 330 | - | mW |
    | 冲击漏极电流 | IDM | - | 800 | - | mA |
    | 工作结温和存储温度 | TJ, TSTG | -55 150 | °C |
    | 栅极充电总量 | QG(TOT) | 0.9 | 1.3 | - | nC |
    | 节点热阻 | RθJA | - | 350 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低栅极电荷:显著提升开关效率,减少功耗。
    2. 小型化设计:采用紧凑的SC-70封装,适合空间受限的设计。
    3. ESD保护:内置ESD防护结构,提高器件鲁棒性。
    4. 环保材料:无铅无卤素设计,满足绿色制造要求。
    5. 认证支持:通过AEC-Q101认证,可提供PPAP文件支持。
    市场竞争力
    NTS4001N/NVS4001N凭借卓越的性能和紧凑的尺寸,在消费类电子、通信设备及汽车电子市场中表现出色。尤其适用于对功耗敏感和空间有限的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 低侧开关:在手机充电电路中作为低压侧开关,实现高效能量传输。
    - 锂离子电池管理:作为保护电路的一部分,控制电池充放电过程。
    - 电源转换器:用于降压转换器,提供快速响应和低损耗性能。
    使用建议
    - 布局优化:为降低寄生效应,确保源极引脚靠近接地平面。
    - 散热设计:对于高电流应用,需额外增加散热片以避免过热。
    - 驱动电路匹配:选用合适的栅极驱动器以匹配其低栅极电荷需求。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持与主流PCB制程兼容。
    - 可与其他同类SC-70封装器件互换使用。
    厂商支持
    ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用笔记以及技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保驱动电路匹配正确的栅极电阻值 |
    | 过温报警频繁 | 改善散热设计,增加外部散热片 |
    | 输出电流不足 | 检查电源电压是否达到额定要求 |

    总结和推荐


    综合评估
    NTS4001N/NVS4001N是一款性能优异、小巧高效的MOSFET产品,特别适合于现代消费类电子和工业控制领域的应用需求。其卓越的开关性能、紧凑的封装形式以及严格的环保标准使其在市场上具备强大竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐此系列产品用于需要高性能、低功耗和小型化的应用场景。对于设计工程师来说,NTS4001N/NVS4001N无疑是最佳选择之一。

NTS4001NT1G参数

参数
最大功率耗散 330mW(Ta)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 100µA
栅极电荷 1.3nC@ 5 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 33pF@5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 270mA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 10mA,4V
长*宽*高 2.1mm*1.24mm*900μm
通用封装 30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTS4001NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTS4001NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTS4001NT1G NTS4001NT1G数据手册

NTS4001NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3927
50+ ¥ 0.3466
150+ ¥ 0.3187
500+ ¥ 0.2906
3000+ ¥ 0.2765
6000+ ¥ 0.268
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