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NTMFS6H848NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),73W(Tc) 2V@ 70µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 80V 8.8mΩ@ 10A,10V 1.42nF@40V SO 贴片安装
供应商型号: AV-S-ONSNTMFS6H848NLT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS6H848NLT1G

NTMFS6H848NLT1G概述

    MOSFET – Power, Single, N-Channel

    产品简介


    NTMFS6H848NL是一款来自安森美半导体(onsemi)的高性能N沟道功率MOSFET。这种器件特别适用于需要高效率、低损耗的应用场合,如开关电源、马达驱动和照明系统等。其主要特点包括紧凑的设计、低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(QG)和电容,这些特性使其成为许多现代电力电子设计的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = 80 V
    - 栅源电压:VGS = ±20 V
    - 连续漏电流:ID(稳态)= 59 A(TC = 25°C),42 A(TC = 100°C)
    - 功率耗散:PD(稳态)= 73 W(TC = 25°C),37 W(TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流:IDM = 319 A(TA = 25°C)
    - 最大结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 单脉冲漏源雪崩能量:EAS = 267 mJ
    - 电气特性
    - 击穿电压:V(BR)DSS = 80 V(ID = 250 μA)
    - 零栅电压漏电流:IDSS = 10 μA(TJ = 25°C),100 μA(TJ = 125°C)
    - 阈值电压:VGS(TH) = 1.2 V 至 2.0 V(ID = 70 μA)
    - 导通电阻:RDS(on) = 7.2 mΩ 至 11 mΩ(VGS = 4.5 V 或 10 V)
    - 其他特性
    - 输入电容:CISS = 1420 pF(VGS = 0 V,f = 1 MHz,VDS = 40 V)
    - 输出电容:COSS = 192 pF
    - 反向传输电容:CRSS = 11 pF
    - 总栅极电荷:QG(TOT) = 25 nC

    产品特点和优势


    - 小封装:NTMFS6H848NL采用紧凑的DFN5封装(5x6 mm),有助于设计紧凑且高效的电路。
    - 低RDS(on):极低的导通电阻可以显著减少传导损耗。
    - 低QG和电容:低栅极电荷和电容特性减少了驱动损耗,提高了开关速度。
    - 无铅且符合RoHS标准:绿色环保,满足国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:NTMFS6H848NL可以用于DC-DC转换器和其他开关电源模块,利用其低RDS(on)特性来降低功率损耗。
    - 马达驱动:该器件适合用于驱动各种类型的电机,特别是在需要高效能和精确控制的应用场合。
    - 照明系统:NTMFS6H848NL能够有效提升LED照明系统的效率,减少发热,延长使用寿命。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,要注意散热措施,确保器件安全运行。
    - 通过优化电路布局和降低杂散电感,可以进一步提高效率和稳定性。

    兼容性和支持


    NTMFS6H848NL具有良好的兼容性,可广泛应用于各类电子系统中。安森美半导体提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户在使用过程中遇到问题时能够得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件工作时温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或散热器,确保良好的热管理。
    - 问题:漏电流过大。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号的质量和强度,确保适当的栅极电阻值。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS6H848NL凭借其紧凑的封装、低RDS(on)、低QG和良好的电气特性,成为了众多电力电子应用的理想选择。无论是开关电源还是马达驱动,这款MOSFET都能显著提升系统的整体性能。因此,强烈推荐将NTMFS6H848NL纳入您的设计方案中,以实现更高的效率和更优的性能。

NTMFS6H848NLT1G参数

参数
栅极电荷 25nC@ 10 V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 70µA
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.7W(Ta),73W(Tc)
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.8mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.42nF@40V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS6H848NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS6H848NLT1G数据手册

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NTMFS6H848NLT1G封装设计

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4500+ $ 0.4123 ¥ 3.6487
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