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NVMFS5C450NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),68W(Tc) 20V 2V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.8mΩ@ 40A,10V 110A 2.1nF@20V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFS5C450NLT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C450NLT1G

NVMFS5C450NLT1G概述

    # MOSFET – Power, Single N-Channel NVMFS5C450NL 技术手册综述

    产品简介


    NVMFS5C450NL 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的单通道N沟道功率MOSFET。这种器件广泛应用于电源转换和管理等领域,如开关电源、电池充电器、电机驱动器及汽车电子系统等。它的主要功能是作为电子电路中的开关,通过控制源极与漏极之间的导通与截止来实现电流的切换。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(Tc=25°C) | ID | 110 | A |
    | 持续漏极电流(Tc=100°C) | ID | 81 | A |
    | 功率耗散(Tc=25°C) | PD | 68 | W |
    | 功率耗散(Tc=100°C) | PD | 34 | W |
    | 瞬态漏极电流(Tp=10μs) | IDM | 740 | A |
    | 工作结温与存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 +175 | °C |
    | 输入电容(f=1MHz,VDS=20V) | CISS | 2100 | pF |
    | 输出电容(VDS=20V) | COSS | 1000 | pF |
    | 反向传输电容(VDS=20V) | CRSS | 42

    产品特点和优势


    1. 紧凑设计:小封装尺寸(5x6 mm),适合紧凑型设计。
    2. 低导通电阻:具有较低的RDS(on),可以有效减少导通损耗。
    3. 低栅极电荷:具有较低的QG和电容值,可降低驱动损耗。
    4. 湿气防滑选项:提供增强光学检测功能的NVMFS5C450NLWF版本。
    5. 认证:通过AEC-Q101认证且具备PPAP生产能力。
    6. 环保:无铅且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVMFS5C450NL主要适用于需要高效率、高可靠性的应用场合,例如:
    - 开关电源的设计与制造
    - 电机驱动系统中的功率控制
    - 汽车电子控制系统
    使用建议
    1. 散热管理:由于较高的瞬态漏极电流(740A),需要确保良好的散热措施,以避免过热导致器件损坏。
    2. 电路布局:考虑到其高输入和输出电容,建议合理布局电路,以减少寄生电感的影响。
    3. 温度考虑:在高温环境下使用时,要特别注意工作温度范围,防止超出额定范围影响性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与大多数标准电源管理系统兼容,可用于多种不同的应用环境。
    - 支持与维护:安森美半导体提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和故障排除资源,帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下的性能下降
    - 问题描述:在高温环境下工作时,漏极-源极间电压可能发生变化。
    - 解决方法:选择散热效果更好的封装形式或添加散热片。
    2. 启动延迟时间较长
    - 问题描述:器件启动延迟时间较长。
    - 解决方法:优化栅极电阻值,缩短启动延迟时间。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5C450NL 是一款高效可靠的单通道N沟道功率MOSFET,其紧凑的尺寸、优秀的电气性能以及广泛的适用性使其成为许多电力电子应用的理想选择。此外,安森美的技术支持也为用户提供了全面的支持,使其能够顺利集成到各种电路设计中。因此,强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的应用场合。

NVMFS5C450NLT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 110A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.1nF@20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3.7W(Ta),68W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8mΩ@ 40A,10V
栅极电荷 35nC@ 10 V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVMFS5C450NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C450NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C450NLT1G NVMFS5C450NLT1G数据手册

NVMFS5C450NLT1G封装设计

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