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FCH47N60-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 417W(Tc) 30V 5V@ 250µA 250nC@ 10 V 1个N沟道 600V 79mΩ@ 47A,10V 47A 8nF@25V TO-247-3 通孔安装 15.87mm*4.82mm*20.82mm
供应商型号: FL-FCH47N60-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCH47N60-F085

FCH47N60-F085概述

    # MOSFET – N-Channel 600V, 47A, 79mΩ FCH47N60-F085

    产品简介


    基本描述
    FCH47N60-F085 是一款由 ON Semiconductor 生产的超级反穿刺结构(SUPERFET)高压N沟道MOSFET。这款产品采用先进的电荷平衡机制,实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能,使其成为汽车DC/DC电源转换的理想选择。
    主要功能和应用领域
    - 主要功能:超低的导通电阻(典型值为64mΩ),出色的开关性能,以及高可靠性。
    - 应用领域:
    - 汽车车载充电器
    - 混合动力和电动汽车(HEV)中的DC/DC转换器

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):600V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(ID):47A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):810mJ
    - 最大功率耗散(PD):417W(25°C以上每度下降3.3W)
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 突破电压(BVDSS):600V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 导通电阻(rDS(on)):在10V VGS下典型值为64mΩ,在150°C下典型值为180mΩ
    - 输入电容(Ciss):在25V VDS下典型值为5900pF
    - 总栅极电荷(Qg(TOT)):在10V VGS下典型值为187nC
    - 热特性:
    - 结点到外壳热阻(RJC):0.3°C/W
    - 结点到环境热阻(RJA):50°C/W(基于铜板尺寸和布局)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和高可靠性:低至64mΩ的导通电阻,可有效降低功耗。
    - 优越的开关性能:快速开关时间(最高410ns)和低栅极电荷(典型值187nC)使产品适合高频应用。
    - 极端工作环境适应性:在-55°C至+150°C的工作范围内提供稳定的性能。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在电动汽车的DC/DC转换器中使用,由于其高可靠性和低损耗特性,可以在极端环境下稳定运行。

    - 使用建议:
    - 当应用于大功率应用时,建议使用大面积铜板散热,以提高热效率并确保可靠运行。
    - 注意单脉冲雪崩能量限制,以避免损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品适用于标准的TO-247封装,可以与大多数直流转换器和其他高功率应用电路无缝集成。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供了详细的电气特性和机械特征信息,并承诺持续的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作,产品的性能是否会受到影响?
    - 解决方案:是的,随温度升高,产品性能会有所变化。建议通过增大铜板面积来提高散热效果,并按照产品手册进行必要的测试和验证。
    - 问题2:产品的栅极电荷过高导致驱动电路复杂化怎么办?
    - 解决方案:考虑使用专用的栅极驱动器以优化驱动条件,从而减少驱动复杂度。

    总结和推荐


    产品评估
    FCH47N60-F085 是一款高性能的高压N沟道MOSFET,具备出色的低导通电阻、优越的开关性能和可靠的高温工作能力,特别适用于汽车DC/DC转换器和车载充电器等应用。对于寻求高性能解决方案的设计工程师来说,这是一个极具吸引力的选择。
    推荐使用
    基于上述评估,我们强烈推荐FCH47N60-F085用于需要高可靠性和高效能的应用场合,特别是在汽车电子领域。该产品凭借其卓越的技术参数和应用特性,将有助于提升整个系统的性能和可靠性。

FCH47N60-F085参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 79mΩ@ 47A,10V
栅极电荷 250nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 47A
最大功率耗散 417W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8nF@25V
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

FCH47N60-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCH47N60-F085数据手册

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FCH47N60-F085封装设计

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