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FDP050AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 245W(Tc) 20V 4V@ 250µA 80nC@ 10V 1个N沟道 60V 5mΩ@ 80A,10V 18A,80A 3.9nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: AV-S-FSCFDP050AN06A0
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP050AN06A0

FDP050AN06A0概述

    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 是一款 N-Channel PowerTrench® MOSFET,由 onsemi 公司生产。该器件的主要用途包括电源转换(如 ATX、服务器和电信电源)、电机驱动和不间断电源(UPS)等。FDP050AN06A0 和 FDB050AN06A0 是同类产品的两种不同封装版本,适用于不同的安装需求。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):60 V
    - VGS(栅源电压):±20 V
    - ID(连续漏电流):80 A(TC < 135°C, VGS = 10V)
    - IDM(峰值电流):470 mJ(单脉冲雪崩能量)
    - PD(功率耗散):245 W
    - TJ, TSTG(操作和存储温度范围):-55°C 至 175°C
    - RθJA(热阻至环境温度):62°C/W(D2-PAK)
    - RθJC(热阻至外壳温度):0.61°C/W
    - 电气特性
    - RDS(on)(导通电阻):4.3 mΩ(Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 80 A
    - Qg(TOT)(总栅极电荷):61 nC(Typ.)@ VGS = 10 V
    - CISS(输入电容):3900 pF
    - COSS(输出电容):750 pF
    - CRSS(反向传输电容):270 pF
    - 动态特性
    - trr(反向恢复时间):34 ns(ISD = 75 A, dISD/dt = 100 A/µs)
    - QRR(反向恢复电荷):25 nC(ISD = 75 A, dISD/dt = 100 A/µs)

    3. 产品特点和优势


    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 主要特点是低栅极电荷、低反向恢复电荷和高功率处理能力。这些特性使其成为电机驱动、电源转换和 UPS 等应用的理想选择。此外,其高功率密度和可靠性也使其在市场上具有显著的竞争优势。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 在 ATX 电源和服务器电源中用于同步整流。
    - 在电机驱动和 UPS 中提供高效功率转换。
    - 在电池保护电路中作为开关器件。
    - 使用建议
    - 在设计中考虑热管理,确保器件不会超过其最大允许温度。
    - 使用适当尺寸的铜垫以降低热阻,提高散热效率。
    - 对于高频应用,注意控制栅极电荷以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - FDP050AN06A0 采用 TO-220 封装,FDB050AN06A0 采用 D2-Pak 封装,两者可分别与其他同系列器件互换使用。

    - 支持
    - onsemi 提供详细的电气模型(PSPICE 和 SABER),供设计者使用。
    - 厂商提供了完整的文档和技术支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何计算稳态下的结温?
    - 解决方法:使用公式 \( T{JM} = \left(T{DM} - TA\right) \cdot R{\theta JA} \) 进行计算。

    - 问题2:如何降低功率耗散?
    - 解决方法:增加铜垫面积,改善散热;使用外部散热器。

    7. 总结和推荐


    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 以其出色的电气性能和广泛的应用领域而受到推崇。其低栅极电荷和高可靠性的特点使其成为电源转换和电机驱动领域的优选器件。我们强烈推荐在需要高效功率转换的应用中使用此产品。

FDP050AN06A0参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 18A,80A
最大功率耗散 245W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 80A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.9nF@25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 80nC@ 10V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FDP050AN06A0厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP050AN06A0数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP050AN06A0 FDP050AN06A0数据手册

FDP050AN06A0封装设计

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