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NVTFS5C454NLWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 55W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 8.2nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 4mΩ@ 20A,10V 85A 1.6nF@25V WDFN-8 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: FL-NVTFS5C454NLWFTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5C454NLWFTAG

NVTFS5C454NLWFTAG概述

    NVTFS5C454NL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVTFS5C454NL 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的 N 沟道 MOSFET。它采用小型封装(3.3 x 3.3 mm),具有低导通电阻和低栅极电荷等特性,适用于需要高效转换和紧凑设计的应用。该产品广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NVTFS5C454NL 的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压 (VDSS):40 V
    - 连续漏极电流 (ID):85 A(环境温度为 25°C),60 A(环境温度为 100°C)
    - 最大功率耗散 (PD):55 W(环境温度为 25°C),27 W(环境温度为 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):520 A
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围为 -55°C 至 +175°C
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):250 μA(环境温度为 125°C)
    - 阈值电压 (VGS(TH)):1.2 V 至 2.2 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.0 mΩ(VGS=10 V,ID=20 A)
    - 输入电容 (Ciss):1600 pF
    - 输出电容 (Coss):590 pF
    - 反向传输电容 (Crss):21 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):8.2 nC(VGS=4.5 V)

    3. 产品特点和优势


    NVTFS5C454NL 具备以下独特功能和优势:
    - 小尺寸:3.3 x 3.3 mm 封装,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:4.0 mΩ(VGS=10 V),显著减少导通损耗。
    - 低栅极电荷:8.2 nC(VGS=4.5 V),降低驱动损耗。
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车应用。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:环保可靠。
    这些特性使其在市场上具有较强的竞争力,特别是在需要高效率和紧凑设计的应用中。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTFS5C454NL 在多种应用中表现出色,例如:
    - 开关电源:利用其低导通电阻特性,可有效减少电源损耗。
    - 电机控制:结合低栅极电荷特性,能够快速响应,提高系统效率。
    - 工业自动化:适用于高可靠性和紧凑型设计的场合。
    建议在使用过程中注意以下几点:
    - 散热管理:由于最大功率耗散较高,需合理设计散热系统。
    - 门极驱动电路:确保适当的栅极驱动,避免误触发或损坏。
    - 温度监控:在高温环境下使用时,应监测并保持合适的温度范围。

    5. 兼容性和支持


    NVTFS5C454NL 与常见的电路板布局和焊接工艺兼容。安森美半导体提供详细的技术支持文档和在线资源,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,厂商还提供长期的维护和升级服务。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的信息,列出了一些常见问题及其解决方案:
    - Q: 额定电流能否达到?
    - A: 请确保电路的电流不超过最大额定值,并适当考虑温度的影响。

    - Q: 如何防止过热?
    - A: 使用适当的散热器或散热片,确保良好的空气流通。

    - Q: 门极电压不稳定如何处理?
    - A: 确保门极驱动电路稳定,并使用高质量的电容滤波。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVTFS5C454NL 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET。其小巧的尺寸、低导通电阻和低栅极电荷使其在多个应用领域表现出色。强烈推荐在高效率和紧凑设计需求的应用中使用。
    希望这篇技术手册能帮助您更好地了解和使用 NVTFS5C454NL。如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请随时联系我们的技术支持团队。

NVTFS5C454NLWFTAG参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 8.2nC@ 4.5 V
最大功率耗散 55W(Tc)
Id-连续漏极电流 85A
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 20A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5C454NLWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5C454NLWFTAG数据手册

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NVTFS5C454NLWFTAG封装设计

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