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FQD11P06TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 9.4 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-FQD11P06TM
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD11P06TM

FQD11P06TM概述


    产品简介


    FQD11P06 / FQU11P06 — P-Channel QFET® MOSFET
    FQD11P06 / FQU11P06 是一款由Fairchild半导体生产的P沟道增强型功率MOSFET,采用其专有的平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别设计用于减少导通电阻,并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源供应器、音频放大器、直流电机控制和变频开关电源等应用。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDSS): -60 V
    - 持续漏电流 (ID): -9.4 A(25°C)
    - 峰值脉冲漏电流 (IDM): -37.6 A
    - 门限电压 (VGSS): ± 30 V
    - 热特性
    - 热阻,结到外壳 (RθJC): 3.28°C/W
    - 热阻,结到环境 (RθJA): 最大 110°C/W(最小 2 盎司铜底板)
    - 电特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大 185 mΩ(VGS = -10 V, ID = -4.7 A)
    - 门电荷 (Qg): 典型 13 nC
    - 输入电容 (Ciss): 典型 420 pF
    - 输出电容 (Coss): 典型 195 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 典型 45 pF
    - 工作环境
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 铅焊接温度 (TL): 最大 300°C(距外壳 1/8 英寸处)

    产品特点和优势


    FQD11P06 / FQU11P06 具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 最大值为 185 mΩ,确保高效电能转换。
    - 低门电荷 (Qg): 仅为 13 nC,减少驱动功率损耗。
    - 低反向传输电容 (Crss): 减少开关过程中的损耗。
    - 高雪崩耐受能力: 单脉冲雪崩能量高达 160 mJ,适合恶劣的工作环境。
    这些特点使其在各种应用场景中表现出色,尤其适用于需要高效、可靠的开关电源和电机控制系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 由于其高效的开关性能,非常适合用于 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等应用。
    - 音频放大器: 低导通电阻和低噪声特性使它在音频放大器中表现出色。
    - 电机控制: 适用于电动工具和工业电机控制,可提供稳定的电流输出。
    使用建议
    - 散热管理: 在高温环境下使用时,应采取有效的散热措施,如增加散热片,以防止器件过热。
    - 电路设计: 尽量减小引线长度,避免不必要的寄生电感,从而降低EMI干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FQD11P06 / FQU11P06 可与常见的开关电源控制器和其他相关组件兼容。
    - 支持和维护: ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后保障。用户可以通过其官方网站获取最新的产品信息和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - Q: 器件过热怎么办?
    - A: 确保散热片安装正确且接触良好。可以尝试增加散热器面积或者使用风扇辅助散热。
    - Q: 开关过程中出现噪音怎么办?
    - A: 检查是否有足够的退耦电容。增加输入端和输出端的去耦电容可以有效降低噪音。

    总结和推荐


    FQD11P06 / FQU11P06 是一款性能优越的P沟道MOSFET,具备低导通电阻、低门电荷、低噪声等特点。其广泛的应用范围和高可靠性使其成为开关电源和电机控制领域的理想选择。我们强烈推荐在需要高性能、高可靠性的场合下使用这款产品。对于需要进一步技术支持的用户,ON Semiconductor提供了丰富的资源和支持服务。

FQD11P06TM参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 9.4A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 185mΩ@ 4.7A,10V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 550pF@25V
栅极电荷 17nC@ 10 V
最大功率耗散 2.5W(Ta),38W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FQD11P06TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD11P06TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD11P06TM FQD11P06TM数据手册

FQD11P06TM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 9.6678
10+ ¥ 6.5026
30+ ¥ 4.8988
100+ ¥ 4.0906
500+ ¥ 3.5752
1000+ ¥ 3.28
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