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FQB4N80TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=800 V, 3.9 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FQB4N80TM
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQB4N80TM

FQB4N80TM概述

    FQB4N80 / FQI4N80 N-Channel QFET® MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQB4N80 和 FQI4N80 是由 ON Semiconductor(原Fairchild Semiconductor)生产的N通道增强模式功率MOSFET。这类器件采用Fairchild专有的平面条纹和DMOS技术制造,特别设计用于降低导通电阻并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。它们适用于开关电源、主动功率因数校正(PFC)和电子灯泡镇流器等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压:800 V(VDSS)
    - 连续电流:3.9 A(TC = 25°C),2.47 A(TC = 100°C)
    - 脉冲电流:15.6 A(IDM)
    - 最大栅源电压:±30 V(VGSS)
    - 单脉冲雪崩能量:460 mJ(EAS)
    - 重复雪崩能量:13 mJ(EAR)
    - 二极管恢复峰值电压变化率:4.0 V/ns(dv/dt)
    - 功率耗散:3.13 W(TA = 25°C),130 W(TC = 25°C)
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C(TJ, TSTG)
    - 热阻抗:RθJC 最大值为0.96°C/W,RθJA 最大值为62.5°C/W(最小铜垫为2oz)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = 10 V、ID = 1.95 A 条件下最大为3.6Ω。
    - 低栅极电荷:典型值为19 nC。
    - 低栅极漏电电流:典型值为100 nA。
    - 100% 雪崩测试:确保在高压环境下稳定可靠的工作。
    - 宽广的温度适应性:工作和存储温度范围达到-55°C至+150°C。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于高压输入的AC/DC转换器和DC/DC转换器。
    - 电子灯泡镇流器:利用其高雪崩耐受能力,适合在灯具驱动电路中使用。
    - 储能系统:由于其高电压能力和低导通电阻,适用于需要高效率和高精度的储能设备中。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,要注意散热措施,避免过高的温升影响器件性能。
    - 适当减小驱动电阻,可以进一步提高开关速度,但需注意不要超过器件的允许范围。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:FQB4N80 采用 D2-PAK 封装,FQI4N80 采用 I2-PAK 封装,均通过贴带和卷盘方式包装。
    - 技术支持:如需进一步的技术支持,可以联系 ON Semiconductor 官方网站上的客服团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何验证部分型号的变化?
    - 解决方案:可以通过访问 ON Semiconductor 官网 www.onsemi.com 进行查询确认。

    - 问题2:如何处理栅极驱动问题?
    - 解决方案:确保驱动电压在安全范围内,避免超过 ±30 V 的栅极电压限制。

    7. 总结和推荐


    FQB4N80 和 FQI4N80 N-Channel QFET® MOSFET 在高压和大电流应用中表现出色,尤其适合于开关电源和电子灯泡镇流器等场合。它们具备低导通电阻、低栅极电荷、100% 雪崩测试和宽广的工作温度范围等优点。总体而言,我们强烈推荐这些器件在相关应用中使用。
    如需更多信息或技术支持,请访问 ON Semiconductor 的官方网站。

FQB4N80TM参数

参数
Id-连续漏极电流 3.9A
栅极电荷 25nC@ 10 V
最大功率耗散 3.13W(Ta),130W(Tc)
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 880pF@25V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6Ω@ 1.95A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FQB4N80TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQB4N80TM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQB4N80TM FQB4N80TM数据手册

FQB4N80TM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 9.8875
2400+ ¥ 9.6502
4000+ ¥ 9.3338
8000+ ¥ 9.0965
库存: 6400
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
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