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FDP15N40

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 170W(Tc) 30V 5V@ 250µA 36nC@ 10V 1个N沟道 400V 300mΩ@ 7.5A,10V 15A 1.75nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FL-FDP15N40
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP15N40

FDP15N40概述


    产品简介


    FDP15N40 N-Channel UniFETTM MOSFET
    FDP15N40是一款由Fairchild Semiconductor生产的N沟道UniFETTM功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于高电压应用场合,如照明系统、不间断电源(UPS)以及电源因数校正(PFC)等领域。该产品采用先进的平面条纹和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制造,具备低导通电阻、优异的开关性能及高雪崩能量强度的特点。此外,它还符合RoHS标准,是各种高功率转换应用的理想选择。

    技术参数


    主要技术规格:
    - 最大耐压(VDSS):400 V
    - 持续漏极电流(ID):15 A(环境温度为25℃)
    - 最大雪崩能量(EAS):731 mJ
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):典型值为240 mΩ(在VGS = 10 V, ID = 7.5 A条件下)
    - 总栅极电荷(Qg(tot)):典型值为28 nC(在VDS = 320 V, ID = 15 A条件下)
    其他电气特性:
    - 极限峰值驱动电流恢复速率(dv/dt):15 V/ns
    - 导通延迟时间(td(on)):典型值为26 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):典型值为72 ns
    工作环境:
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):-55°C至+150°C
    - 引线最大焊接温度(TL):300°C(距离管壳1/8英寸,焊接5秒)

    产品特点和优势


    主要优势:
    - 低导通电阻:FDP15N40在VGS = 10 V时具有较低的典型导通电阻(RDS(on)),这有助于降低功耗并提高效率。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷较低,有助于减少开关损耗。
    - 高雪崩耐受能力:通过100%雪崩测试,确保在极端条件下可靠运行。
    - 快速开关性能:得益于低栅极电荷和优化的电容特性,它具有快速的开关速度,有助于减小功耗和提升效率。

    应用案例和使用建议


    应用领域:
    - 照明:适用于LED驱动器、卤素灯等照明系统的高效控制。
    - 不间断电源(UPS):适合用于数据中心、工业设备等对电源稳定性要求高的场所。
    - 电源因数校正(PFC):可作为电源模块中的关键组件,用于提升系统整体效率。
    使用建议:
    - 在设计时考虑散热管理,特别是在高功率应用中,以防止过热。
    - 配合适当的驱动电路,确保栅极电压(VGS)稳定,以避免损坏MOSFET。
    - 在极端工作环境下,例如高温或高湿度环境中,需特别注意保护措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - FDP15N40与大多数标准TO-220封装兼容,可以方便地安装在标准散热片上。
    支持:
    - ON Semiconductor提供详尽的技术文档、测试报告和客户支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:
    在使用过程中发现MOSFET温度过高。
    解决方案:
    确保在设计中充分考虑散热措施,如添加散热片或使用风扇冷却。此外,检查电路中的负载是否过大,必要时进行降额使用。
    问题2:
    无法达到预期的开关速度。
    解决方案:
    确认驱动电路的驱动能力足够强,以确保栅极电荷快速充放电。优化驱动电路的设计,确保栅极信号传输无延迟。

    总结和推荐


    FDP15N40 N-Channel UniFETTM MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,成为众多高功率应用中的理想选择。其优秀的电气特性使其在多种应用场景中表现出色。鉴于其广泛的适用性和可靠性,强烈推荐在需要高效率和高功率密度的应用中使用该产品。在设计和应用中务必遵循制造商的指导,以确保最佳性能和安全。

FDP15N40参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.75nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 7.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 400V
栅极电荷 36nC@ 10V
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 170W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDP15N40厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP15N40数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP15N40 FDP15N40数据手册

FDP15N40封装设计

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