处理中...

首页  >  产品百科  >  2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.65W(Ta),65W(Tc) 20V 80nC@ 10 V 1个P沟道 60V 39mΩ@ 19A,10V 38A 4.36nF@20V TO-263-2 贴片安装 10mm*9.2mm*4.75mm
供应商型号: FL-2SJ661-DL-1E
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E概述

    2SJ661 P-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SJ661 是一款P通道功率MOSFET,其额定电压为-60V,额定电流为-38A,典型导通电阻(RDS(on))为29.5mΩ(VGS=-10V时)。该器件采用TO-262-3L和TO-263-2L两种封装形式,适用于多种高电压应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极到源极电压 | VDSS | - | -60 | V |
    | 栅极到源极电压 | VGSS | ± | ±20 | V |
    | 漏极电流(直流) | ID | - | -38 | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDP | PW≤10μs, duty cycle≤1% | -152 | A |
    | 允许功耗 | PD | Tc=25°C | 1.65 / 65 | W |
    | 频率相关的电容 | Ciss | VDS=-20V, f=1MHz | 4360 | pF |
    | 输出电容 | Coss | 470 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 335 | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值29.5mΩ(VGS=-10V时),有助于提高电路效率。
    - 高速开关特性:在-10V驱动电压下,典型的上升时间tr为285ns,下降时间tf为195ns,有助于提升电路的整体性能。
    - 较高的栅极充电量:总栅极电荷Qg为80nC,适合于需要快速开关的应用场合。
    - 高可靠性和耐用性:可承受单脉冲雪崩能量高达250mJ,适用于恶劣的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:在开关电源、电机控制和汽车电子等领域中广泛应用。
    - 使用建议:在设计电路时,注意确保驱动电压在4V以上,以保证其正常工作。同时,根据应用要求选择合适的封装形式(TO-262-3L或TO-263-2L)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SJ661具有广泛的适用性,可以与其他标准的功率MOSFET兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,以确保用户能够充分发挥该产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保驱动电压足够高,适当调整栅极电容。 |
    | 过热 | 加强散热措施,如加装散热片或风扇。 |
    | 导通电阻过高 | 检查驱动条件是否满足,调整栅极电压至合适水平。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SJ661是一款高性能的P通道功率MOSFET,具有出色的低导通电阻和高速开关特性,适用于多种高电压应用场合。无论是开关电源、电机控制还是汽车电子领域,它都能展现出卓越的性能。因此,强烈推荐在这些领域使用2SJ661。

2SJ661-DL-1E参数

参数
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 1.65W(Ta),65W(Tc)
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.36nF@20V
栅极电荷 80nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 38A
Rds(On)-漏源导通电阻 39mΩ@ 19A,10V
长*宽*高 10mm*9.2mm*4.75mm
通用封装 TO-263-2
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

2SJ661-DL-1E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2SJ661-DL-1E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-1E数据手册

2SJ661-DL-1E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.5206 ¥ 12.7886
库存: 24800
起订量: 395 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 12.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0