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FQD7N20LTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),45W(Tc) 20V 2V@ 250µA 9nC@ 5 V 1个N沟道 200V 750mΩ@ 2.75A,10V 5.5A 500pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: 3368808
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD7N20LTM

FQD7N20LTM概述


    产品简介


    FQD7N20L N-Channel QFET® MOSFET 是一款专为高效率电源转换设计的N沟道增强型功率MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor独有的平面条纹和DMOS技术制造,具有低导通电阻、优越的开关性能和高雪崩能量强度等特点。适用于开关电源、主动功率因数校正(PFC)和电子灯泡镇流器等应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - VDSS:200 V(最大)
    - ID:5.5 A(连续,25°C),3.48 A(连续,100°C)
    - IDM:22 A(脉冲)
    - VGSS:±20 V
    - EAS:73 mJ(单脉冲雪崩能量)
    - IAR:5.5 A(雪崩电流)
    - EAR:4.5 mJ(重复雪崩能量)
    - 热特性
    - RθJC:2.78 °C/W(最大)
    - RθJA:110 °C/W(最小焊盘)
    - PD:2.5 W(TA=25°C)
    - 其他参数
    - RDS(on):750 mΩ(最大,VGS=10 V,ID=2.75 A)
    - Qg:6.8 nC(典型)
    - Crss:8.5 pF(典型)
    - 其他详细参数参见技术手册

    产品特点和优势


    FQD7N20L 的独特功能和优势包括:
    - 低导通电阻:低至750 mΩ,显著降低功耗,提高效率。
    - 高雪崩能量:能承受高雪崩电流和能量,适合于恶劣的工作环境。
    - 低门极电荷:仅需6.8 nC的总门极电荷,降低驱动损耗。
    - 直接逻辑驱动:可直接由逻辑电路驱动,减少额外的驱动电路。
    - 高可靠性:经过100%雪崩测试,保证高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:在需要高效能转换的应用中,如笔记本电脑、服务器电源等。
    - 主动功率因数校正(PFC):在照明和工业设备中提高电源质量。
    - 电子灯泡镇流器:用于控制灯泡的启动和运行,提高灯具的稳定性。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合MOSFET的最大电压和电流要求。
    - 考虑散热设计以保持器件温度在安全范围内。
    - 使用适当的驱动电路以降低驱动损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种开关电源、PFC电路和灯泡镇流器等系统兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详细的文档和技术支持,可通过官网获得最新信息和问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电路?
    - 解决方案:使用恒定电流源作为驱动电路,确保足够的门极电荷。

    2. 问题:如何避免过热损坏?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如加装散热片或风扇。

    3. 问题:如何确认MOSFET的适用性?
    - 解决方案:参考技术手册中的规格表和应用示例,验证是否满足应用需求。

    总结和推荐


    FQD7N20L 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及易用性等特点,适用于各种电源转换应用。其强大的技术参数和广泛的兼容性使其成为市场上的优选产品。我们强烈推荐使用该产品以提升您的电子系统性能和效率。

FQD7N20LTM参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 2.75A,10V
Id-连续漏极电流 5.5A
栅极电荷 9nC@ 5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@25V
最大功率耗散 2.5W(Ta),45W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FQD7N20LTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD7N20LTM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD7N20LTM FQD7N20LTM数据手册

FQD7N20LTM封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 4.1019
10+ ¥ 3.1075
100+ ¥ 2.7843
500+ ¥ 2.7346
2500+ ¥ 2.6849
7500+ ¥ 2.6849
20000+ ¥ 2.6849
37500+ ¥ 2.6849
库存: 736
起订量: 20 增量: 0
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