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FDG6308P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mW 8V 1.5V@ 250µA 2.5nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 400mΩ@ 600mA,4.5V 600mA 153pF@10V SC-70-6,SC-88 贴片安装 2mm*1.25mm*1.1mm
供应商型号: FDG6308P
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDG6308P

FDG6308P概述

    FDG6308P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

    1. 产品简介


    FDG6308P 是一款由 ON Semiconductor 生产的P通道1.8V指定电源槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此器件采用了先进的低电压PowerTrench工艺,经过优化,特别适用于电池管理系统和负载开关的应用场合。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 源极-漏极电压(VDSS): –20 V
    - 栅极-源极电压(VGSS): ±8 V
    - 连续漏电流(ID): –0.6 A
    - 单次操作功率耗散(PD): 0.3 W
    - 工作和存储结温(TJ, TSTG): –55°C 至 +150°C
    - 静态特性:
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): –0.4 V 至 –1.5 V
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = –4.5 V, ID = –0.6 A时为0.35 Ω
    - VGS = –2.5 V, ID = –0.5 A时为0.40 Ω
    - VGS = –1.8 V, ID = –0.4 A时为0.55 Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 153 pF
    - 输出电容(Coss): 25 pF
    - 反向转移电容(Crss): 9 pF
    - 开关特性:
    - 总栅极电荷(Qg): 1.8 nC 至 2.5 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 0.3 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 0.4 nC

    3. 产品特点和优势


    FDG6308P 的独特功能包括:
    - 极低的漏极-源极导通电阻(RDS(on)):典型值为0.35 Ω,这使得它在电池管理系统和负载开关应用中表现出色。
    - 高性能的沟槽技术,进一步降低了导通电阻。
    - 紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装,便于集成到现有的电路设计中。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电池管理系统: 通过精确控制电池的充电和放电过程,延长电池寿命。
    - 负载开关: 在电源管理模块中用于控制负载的开关状态,实现高效的能量管理。
    - 使用建议:
    - 由于漏极-源极电压仅为–20 V,因此在需要更高电压的场合需注意选择合适的驱动器。
    - 建议使用较低的栅极-源极电压以减少功率损耗,并确保系统处于最佳工作状态。

    5. 兼容性和支持


    FDG6308P 与其他标准SC70-6封装的MOSFET具有良好的兼容性,可直接替换同类产品。ON Semiconductor 提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可通过访问官网获取最新的产品信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下性能下降。
    - 解决办法: 确保电路板设计合理,降低热阻;使用散热片或散热风扇帮助散热。
    - 问题2: 漏电流过高。
    - 解决办法: 检查并确保栅极-源极电压正确设置,避免过高的栅极-源极电压导致漏电流增加。

    7. 总结和推荐


    FDG6308P是一款优秀的P通道MOSFET,具有低导通电阻、高性能和紧凑封装等特点。尽管此器件已不再推荐用于新的设计,但对于现有项目,它仍是一个可靠的选择。建议在继续使用时注意其工作条件,并根据具体应用进行调整。

FDG6308P参数

参数
Id-连续漏极电流 600mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 153pF@10V
配置
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 600mA,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 300mW
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 2.5nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 2
长*宽*高 2mm*1.25mm*1.1mm
通用封装 SC-70-6,SC-88
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDG6308P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDG6308P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDG6308P FDG6308P数据手册

FDG6308P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 7.7021
6000+ ¥ 7.5737
9000+ ¥ 7.3812
库存: 6000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 23106.3
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