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NVMFS6H800NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 203 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: 2895666
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G概述


    产品简介


    NVMFS6H800N 是一款N-通道功率MOSFET,专为紧凑设计而开发。它具有低导通电阻(RDS(on))以最小化导电损耗,并且具备较低的栅极电荷(QG)和电容以减少驱动损耗。NVMFS6H800N 还提供了湿气可检测的选项(NVMFS6H800NWF),以增强光学检测效果。此外,这款MOSFET符合AEC-Q101标准,适用于汽车行业。

    技术参数


    以下是NVMFS6H800N的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDSS):80V
    - 最大连续漏电流 (ID):203A (TC = 25°C),143A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):900A (TA = 25°C)
    - 最大耗散功率 (PD):200W (TC = 25°C),100W (TC = 100°C)
    - 最大工作结温 (TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):80V @ 25°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):2.1mΩ @ 10V,20A
    - 阈值电压 (VGS(TH)):2.0V 至 4.0V @ 25°C
    - 输入电容 (CISS):5530pF @ 1MHz,40V
    - 输出电容 (COSS):760pF
    - 栅极电荷 (QG(TOT)):85nC
    - 栅极到源极电荷 (QGS):26nC
    - 栅极到漏极电荷 (QGD):16nC
    - 平台电压 (VGP):4.8V
    - 反向恢复时间 (tRR):76ns

    产品特点和优势


    NVMFS6H800N 的关键优势包括:
    - 小尺寸封装(5x6mm):适合空间有限的应用场景。
    - 低导通电阻:可以有效降低能耗,提高能效。
    - 低栅极电荷和电容:减少驱动损耗,提升开关速度。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车电子领域。
    - 无铅、RoHS合规:满足环保要求。
    - 湿气可检测选项:增强光学检测能力。

    应用案例和使用建议


    NVMFS6H800N 广泛应用于需要高功率密度和高效能的场合,例如电动汽车、太阳能逆变器、工业自动化设备等。在这些应用中,其低导通电阻和低栅极电荷有助于实现更高效的能量转换。使用建议包括:
    - 确保散热设计合理,特别是在高功率应用中,以避免过热损坏。
    - 在高压和高频应用中,注意保护电路免受瞬态电压的影响。
    - 针对具体应用场景进行详细测试,确保满足所有性能指标。

    兼容性和支持


    NVMFS6H800N 与市面上大多数主流控制器和驱动器兼容,适用于多种应用场景。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户顺利集成该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过高的栅极电压?
    - A: 使用合适的栅极电阻来限制栅极电压,防止过压导致损坏。

    - Q: 如何避免过热损坏?
    - A: 设计合理的散热系统,确保在高负载情况下能够有效散热。
    - Q: 如何选择正确的驱动器?
    - A: 选择与NVMFS6H800N相匹配的驱动器,考虑驱动器的输出能力和栅极电荷需求。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS6H800N 是一款高性能、高效能的N-通道功率MOSFET。它的独特功能如小尺寸封装、低导通电阻和低栅极电荷使其在众多应用中表现出色。特别是对于需要高效率和高可靠性的应用来说,这款产品是一个理想的选择。ON Semiconductor 提供了全面的支持和服务,使客户能够轻松地集成和使用该产品。因此,强烈推荐将NVMFS6H800N用于需要高性能和高效能的电力电子设计中。

NVMFS6H800NT1G参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 85nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),200W(Tc)
Id-连续漏极电流 28A,203A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.53nF@40V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 330µA
长*宽*高 5.1mm(长度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H800NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H800NT1G数据手册

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NVMFS6H800NT1G封装设计

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1+ ¥ 27.7839
10+ ¥ 24.8944
100+ ¥ 24.0053
500+ ¥ 24.0053
1500+ ¥ 24.0053
3000+ ¥ 24.0053
4500+ ¥ 24.0053
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