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HUFA75637P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 155W(Tc) 20V 4V@ 250µA 108nC@ 20V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 44A,10V 44A 1.7nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-HUFA75637P3
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUFA75637P3

HUFA75637P3概述

    HUFA75637P3 和 HUFA75637S3S 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    HUFA75637P3 和 HUFA75637S3S 是由 Fairchild Semiconductor 公司生产的N沟道超低导通电阻(UltraLow On-Resistance)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel UltraFET® Power MOSFET)。这些器件主要用于需要高效率和小体积的应用场合,如电源管理和电机控制等领域。它们的典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器和马达驱动等。

    2. 技术参数


    - 电气参数:
    - 漏极到源极电压(VDSS): 100V
    - 漏极到栅极电压(VDGR): 100V
    - 栅极到源极电压(VGS): ±20V
    - 持续漏极电流(TC=25°C,VGS=10V): 44A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 31A
    - 瞬态热阻抗(RθJC): 0.97°C/W
    - 绝对最高温度(TL): 300°C
    - 热参数:
    - 结到外壳热阻(RθJC): 0.97°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA): 62°C/W
    - 最大结温(TJ): -55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    - 超低导通电阻(rDS(ON)): 仅0.030Ω,适用于要求高效能的应用。
    - 温度补偿模拟模型: 提供了温度补偿的 PSPICE 和 SABER 电气模型,支持多种仿真工具。
    - 脉冲雪崩额定值: 提供峰值电流和脉冲宽度曲线,确保在高压环境下的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源: 可用于实现高效的直流到直流转换,提高电源管理系统的整体效率。
    - 电机驱动: 由于其高电流能力,非常适合于电机驱动应用。
    - DC-DC转换器: 在DC-DC转换器中,利用其低导通电阻可以减少功耗并提高系统效率。
    使用建议:
    - 选择合适的散热器以降低工作温度,防止过热。
    - 注意电路设计,避免由于瞬态电流引起的热冲击。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型: HUFA75637P3 采用 TO-220AB 封装,而 HUFA75637S3S 则采用 TO-263AB 封装。
    - 支持文档: 提供了详细的技术支持文档,包括应用指南、热管理指南等。
    - 仿真模型: 提供了 PSPICE 和 SABER 模型,方便进行电路仿真。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,例如外置散热片或风扇。
    - 问题: 设备在高脉冲电流下失效。
    - 解决方案: 确保电源设计能够承受预期的最大电流,并使用适当的保护电路。

    7. 总结和推荐


    - 优点: HUFA75637P3 和 HUFA75637S3S 的超低导通电阻、高效的热管理能力和强大的模拟模型使其成为高性能应用的理想选择。
    - 推荐: 强烈推荐这些器件用于需要高效率和可靠性的电力电子应用,特别是在高电流环境中。完善的文档和支持使得集成和调试变得更加容易。
    通过以上介绍,可以看出 HUFA75637P3 和 HUFA75637S3S 是极具竞争力的产品,具有显著的市场优势。

HUFA75637P3参数

参数
栅极电荷 108nC@ 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@25V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 44A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 44A,10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 155W(Tc)
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

HUFA75637P3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUFA75637P3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUFA75637P3 HUFA75637P3数据手册

HUFA75637P3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5246 ¥ 4.5141
300+ $ 0.5198 ¥ 4.4735
500+ $ 0.515 ¥ 4.4328
1000+ $ 0.5005 ¥ 4.2295
5000+ $ 0.5005 ¥ 4.2295
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