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FDPF18N20FT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 41W(Tc) 30V 5V@ 250µA 26nC@ 10 V 1个N沟道 200V 140mΩ@ 9A,10V 18A 1.18nF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: JD-FDPF18N20FT
供应商: 海外现货
标准整包数: 200
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF18N20FT

FDPF18N20FT概述


    产品简介


    FDP18N20F / FDPF18N20FT — N-Channel UniFETTM FRFET® MOSFET
    FDP18N20F 和 FDPF18N20FT 是由 Fairchild Semiconductor 推出的 N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET,属于高电压 MOSFET 家族。这种 MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术,专为降低导通电阻而设计,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。产品适用于 LCD/LED 电视、消费类家电、照明、不间断电源和交流-直流电源供应等广泛的应用领域。

    技术参数


    以下是 FDP18N20F 和 FDPF18N20FT 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | FDP18N20F | FDPF18N20FT | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 200 | 200 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
    | 持续漏电流(TC=25°C) | ID | 18 | 18 | A |
    | 持续漏电流(TC=100°C) | ID | 10.8 | 10.8 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 324 | 324 | mJ |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 200 | 200 | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.12 | 0.14 | Ω |
    | 门电荷 | Qg(tot) | 20 | 26 | nC |
    | 门到源电荷 | Qgs | - | 5 | nC |
    | 门到漏电荷 | Qgd | - | 9 | nC |
    | 转换延迟时间 | td(on) | - | 16 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 50 | ns |
    | 门极泄漏电流 | IGSS | - | ±100 | nA |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为 120 mΩ,使设备在高电流下具有更低的功耗。
    - 低栅极电荷:典型值为 20 nC,减少开关损耗,提高效率。
    - 低逆向恢复电容:典型值为 24 pF,提升开关速度。
    - 100% 雪崩测试:确保设备的耐用性和可靠性。
    - RoHS 合规:符合环保标准,适用于多种现代电子设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - LCD/LED 电视:利用其低导通电阻和快速开关特性,提高电视电源转换效率。
    - 消费类家电:如冰箱、洗衣机等,增强设备的整体能效和可靠性。
    - 照明系统:适用于 LED 照明,提高照明系统的稳定性。
    使用建议
    - 在高功率应用中,建议选择适当的散热片以确保器件的工作温度保持在安全范围内。
    - 为了优化开关性能,建议在设计时仔细选择合适的驱动电路参数。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDP18N20F 和 FDPF18N20FT 可与多种电子设备和电路板设计兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够顺利集成这些组件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温下工作不稳定。
    - 解决方案:安装散热片并确保设备周围有足够的空气流动,降低工作温度。
    2. 问题:开关性能不佳。
    - 解决方案:检查驱动电路参数,确保门极电荷和栅极驱动电压设置正确。
    3. 问题:出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,以加速散热过程。

    总结和推荐


    FDP18N20F 和 FDPF18N20FT 是高性能的 N 沟道 MOSFET,以其出色的导通电阻和开关性能,在各种高功率应用中表现出色。鉴于其卓越的可靠性、高效的能效和广泛的适用范围,我们强烈推荐将其用于需要高效率和可靠性的电子系统中。无论是家庭电器还是工业设备,这些器件都将成为优化电源转换和提高系统整体性能的理想选择。

FDPF18N20FT参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 9A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 41W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.18nF@25V
栅极电荷 26nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDPF18N20FT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF18N20FT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDPF18N20FT FDPF18N20FT数据手册

FDPF18N20FT封装设计

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