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FDP65N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 135W(Tc) 20V 4V@ 250µA 43nC@ 10 V 1个N沟道 60V 16mΩ@ 32.5A,10V 65A 2.17nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FL-FDP65N06
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP65N06

FDP65N06概述

    FDP65N06 N-Channel UniFETTM MOSFET: Comprehensive Overview

    1. 产品简介


    FDP65N06 是一款由Fairchild半导体公司开发的N沟道UniFETTM MOSFET,属于高电压MOSFET系列,采用平面条纹技术和DMOS技术制造。该MOSFET的主要设计目的是减少导通电阻(RDS(on)),提供更好的开关性能和更高的雪崩能量承受能力。这些特性使得FDP65N06非常适合应用于电源转换领域,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯管镇流器等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (BVDSS) | 60 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 65 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 260 | A |
    | 栅源电压 (VGSS) | ±20 | V |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 430 | mJ |
    | 雪崩电流 (IAR) | 65 | A |
    | 反复雪崩能量 (EAR) | 13.5 | mJ |
    | 峰值二极管恢复电压 (dv/dt) | 4.5 | V/ns |
    | 功耗 (PD) | 135 | W |
    | 热阻 (RθJC) | 0.92 | °C/W |
    | 热阻 (RθJA) | 62.5 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    FDP65N06具有多项独特功能和优势,包括:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在栅源电压为10V、漏极电流为32.5A时,典型值为13mΩ。
    - 低栅电荷 (Qg): 典型值为33nC。
    - 低反向传输电容 (Crss): 典型值为35pF。
    - 快速开关: 适用于需要高频切换的应用场合。
    这些特性使其在各种电源转换应用中表现出色,特别是对效率和性能要求较高的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    FDP65N06适合应用于多种领域,例如:
    - 功率因数校正 (PFC):通过减少开关损耗提高系统效率。
    - 平板显示(FPD)电视电源:高频率切换能够减小体积,提高能效。
    - ATX电源:适用于需要稳定输出电压的场合。
    - 电子灯管镇流器:用于高效驱动灯管。
    使用建议:
    1. 选择合适的栅极驱动器: 由于其低栅电荷,可以使用较高频率的栅极驱动器以实现更快的开关速度。
    2. 热管理: 由于功耗较大,建议采取有效的散热措施以确保正常运行。

    5. 兼容性和支持


    FDP65N06可与其他标准电源组件良好配合使用。关于技术支持和维修服务,客户可以通过访问ON Semiconductor官方网站获得更多帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关时发热严重。
    - 解决方案: 检查电路板布局是否合理,确保良好的散热条件。增加散热片或使用散热膏以增强散热效果。
    2. 问题: 开关频率过低。
    - 解决方案: 确保栅极驱动信号强度足够,检查是否存在驱动器限制。如果可能,更换为更高频率的驱动器。
    3. 问题: 系统效率下降。
    - 解决方案: 检查是否存在寄生电感或寄生电容的影响,优化电路设计以减少这些影响。

    7. 总结和推荐


    FDP65N06 N-Channel UniFETTM MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适用于高要求的电源转换应用。其低导通电阻、快速开关和良好的热稳定性使其成为众多领域的理想选择。结合以上优势和适用范围,我们强烈推荐FDP65N06用于需要高效率和可靠性的电源设计中。

FDP65N06参数

参数
Id-连续漏极电流 65A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 43nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 135W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.17nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 32.5A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDP65N06厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP65N06数据手册

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FDP65N06封装设计

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