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NTB5405NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),150W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 88nC@ 10 V 1个N沟道 40V 5.8mΩ@ 40A,10V 116A 4nF@32V TO-263 贴片安装 10.29mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: FL-NTB5405NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTB5405NT4G

NTB5405NT4G概述


    产品简介


    NTB5405N/NVB5405N MOSFET - 电子元器件
    NTB5405N 和 NVB5405N 是 N-Channel 单管功率 MOSFET,采用 D2PAK 封装。这类器件广泛应用于汽车电子系统如电子刹车系统(Electronic Brake Systems)和电子动力转向(Electronic Power Steering),以及桥式电路等场合。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDSS): 40 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (ID):TC=25°C 时为 116 A;TC=100°C 时为 82 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 280 A(tp=10 μs)
    - 功率参数:
    - 功率耗散 (PD): TC=25°C 时为 150 W;TA=25°C 时为 3.0 W
    - 温度参数:
    - 运行结温和存储温度 (TJ, TSTG): -55°C 到 175°C
    - 最大焊接温度 (TL): 260°C
    - 其他参数:
    - 关断特性下的漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 40 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 1.0 μA(TJ=25°C)
    - 开启特性下的门限电压 (VGS(TH)): 1.5-3.5 V
    - 漏源电阻 (RDS(on)): 4.9 mΩ(VGS=10 V, ID=40 A)
    - 输入电容 (CISS): 2700-4000 pF(VGS=0 V, f=1.0 MHz, VDS=32 V)
    - 总栅电荷 (QG(TOT)): 88 nC(VGS=10 V, VDS=32 V, ID=40 A)

    产品特点和优势


    NTB5405N 和 NVB5405N 具有多项显著的特点和优势,使其成为高性能应用的理想选择:
    - 低 RDS(on):低导通电阻使得在高电流条件下具有更小的功耗。
    - 高电流能力:能承受大电流,适用于需要高功率输出的应用。
    - 低栅电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - AEC-Q101 认证和 PPAP 能力:对于汽车应用尤为重要,确保高可靠性。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电子刹车系统:提供高可靠性,确保车辆在紧急情况下能够稳定制动。
    - 电子动力转向:具备低损耗特性,提升能源效率。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,应考虑使用散热片来降低器件温度,以防止过热损坏。
    - 由于漏源电阻 (RDS(on)) 会随温度变化而变化,建议在设计时进行温度补偿,以确保稳定的性能。

    兼容性和支持


    NTB5405N 和 NVB5405N 的 D2PAK 封装使它们易于与其他电子元件集成。制造商提供了丰富的技术支持文档,包括详细的技术手册和在线支持,帮助客户顺利集成并使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致器件失效。
    - 解决办法:使用散热片,并在设计时考虑散热管理。

    - 问题:开关速度不够快。
    - 解决办法:降低门极电阻,以加快开关速度。

    - 问题:漏电流较大。
    - 解决办法:检查安装过程中是否有漏电现象,确保正确接地。

    总结和推荐


    NTB5405N 和 NVB5405N MOSFET 是一款高性能、可靠性和稳定性兼具的功率 MOSFET,适用于多种应用,特别是在汽车电子和桥式电路中表现卓越。由于其出色的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用该产品,尤其是在高功率和高电流环境中。对于需要高可靠性和低功耗的场合,NTB5405N/NVB5405N 是理想的选择。

NTB5405NT4G参数

参数
最大功率耗散 3W(Ta),150W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 40A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 116A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@32V
栅极电荷 88nC@ 10 V
长*宽*高 10.29mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

NTB5405NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTB5405NT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTB5405NT4G NTB5405NT4G数据手册

NTB5405NT4G封装设计

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