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NVMFS5H600NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta),160W(Tc) 2V@ 250µA 89nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.3mΩ@ 50A,10V 250A 6.68nF@30V DFN 贴片安装
供应商型号: 863-NVMFS5H600NLT1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5H600NLT1G

NVMFS5H600NLT1G概述

    # NVMFS5H600NL 60V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVMFS5H600NL 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)设计生产的高效能N-通道功率MOSFET。它采用紧凑型DFN5和DFNW5封装,具有小尺寸(5×6毫米)和低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于多种高效率开关电源、电机驱动、直流-直流转换器及其它需要高性能功率管理的应用场景。
    主要功能:
    - 高效节能:通过低导通电阻减少功耗。
    - 紧凑设计:适合空间受限的应用环境。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,适用于汽车和工业领域。
    应用领域:
    - 汽车电子系统(如发动机控制单元、电池管理系统)。
    - 工业自动化设备(如伺服驱动器、UPS系统)。
    - 消费电子产品(如笔记本电脑适配器、智能手机充电器)。

    2. 技术参数


    以下是NVMFS5H600NL的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | V(BR)DSS | — | 60 | — | V |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 1.1 | 1.3 | — | mΩ |
    | 栅极阈值电压(VGS=VDS, ID=250µA) | VGS(TH) | 1.2 | 2.0 | — | V |
    | 总栅极电荷量(VGS=4.5V, VDS=30V) | QG(TOT) | — | 40 | 89 | nC |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | — | — | 900 | A |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 | — | 175 | °C |
    其他特性包括低QG、低输入和输出电容,以及支持高达160W的连续功率耗散能力。这些参数使其成为高频开关应用的理想选择。

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 小型化设计:DFN5/DFNW5封装使得该器件非常适合空间敏感型应用。
    - 低导通电阻:典型值为1.3mΩ,显著降低了导通损耗。
    - 快速开关速度:较低的寄生电容保证了快速开关性能,减少了开关过程中的能量损失。
    市场竞争力:
    NVMFS5H600NL 凭借其卓越的性能和紧凑的设计,在众多竞争者中脱颖而出。其符合RoHS标准且无卤素、溴化物,进一步增强了环保特性,满足现代电子产品的需求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电动工具驱动:利用其高电流能力和快速响应时间驱动电机。
    2. 车载充电模块:作为主控开关使用,实现高效的电力传输。
    3. 太阳能逆变器:低导通电阻有助于减少发热并提升整体效率。
    使用建议:
    - 确保良好的热管理,尤其是在高负载条件下,可以增加外部散热片来降低温度。
    - 对于高频应用,合理选择栅极电阻以平衡开关速度与EMI干扰。
    - 遵循推荐的驱动电路设计规范,避免过压或过流情况发生。

    5. 兼容性和支持


    NVMFS5H600NL 支持标准焊接工艺,并与常见的PCB布局兼容。安森美提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的装配指南和在线技术支持。此外,产品还具备PPAP生产能力,便于汽车行业的应用。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整栅极电阻以减缓开关速度。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查电路是否正常连接,重新测试设备。 |
    | 短时间内频繁启动导致性能下降 | 确保充分冷却时间,避免过载运行。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVMFS5H600NL是一款专为高效率应用设计的高性能功率MOSFET。凭借其小尺寸、低功耗以及优异的电气性能,它在许多领域表现出色。如果您的项目需要高性能、可靠性和紧凑设计,那么这款产品无疑是一个理想的选择。
    推荐指数:★★★★★
    此产品适用于对性能要求较高的各类应用场景,并且经过验证可满足长期稳定运行的需求。建议优先考虑选用该型号以获得最佳效果。

NVMFS5H600NLT1G参数

参数
最大功率耗散 3.3W(Ta),160W(Tc)
通道数量 -
Id-连续漏极电流 250A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 50A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.68nF@30V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 89nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5H600NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5H600NLT1G数据手册

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NVMFS5H600NLT1G封装设计

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10+ $ 2.904 ¥ 24.5388
100+ $ 2.0088 ¥ 16.9744
500+ $ 1.6524 ¥ 13.9628
1500+ $ 1.4805 ¥ 12.5102
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