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NVTFS9D6P04M8LTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),75W(Tc) 20V 2.4V@ 580µA 34.6nC@ 10 V 1个P沟道 40V 9.5mΩ@ 20A,10V 13A;64A 2.312nF@20V DFN 贴片安装
供应商型号: 3367872
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG概述

    NVTFS9D6P04M8L P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS9D6P04M8L 是一款高性能的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种紧凑型设计和电源管理应用。该器件具备小尺寸封装、低导通电阻和低栅极电容等特性,使其在高效率转换和开关应用中表现优异。

    技术参数


    - 主要电气特性
    - 漏源电压 (VDSS): -40 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 最大连续漏电流 (ID): TC = 25°C 时为 -64 A,TC = 100°C 时为 -46 A
    - 最大功耗 (PD): TC = 25°C 时为 75 W,TC = 100°C 时为 38 W
    - 脉冲漏电流 (IDM): TA = 25°C 时为 311 A
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 单脉冲漏源雪崩能量 (EAS): 220 mJ
    - 热阻抗
    - 结到外壳 (RJC): 2 °C/W
    - 结到环境 (RJA): 47 °C/W
    - 阈值电压
    - VGS(TH): -1.0 V 到 -2.4 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on))
    - VGS = -10 V 时: 9.5 mΩ @ -10 V
    - VGS = -4.5 V 时: 13.8 mΩ @ -4.5 V

    产品特点和优势


    - 小尺寸封装:3.3 x 3.3 mm,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:最小化导通损耗。
    - 低栅极电容:最小化驱动损耗。
    - 湿式焊接边缘认证:符合 NVTFWS9D6P04M8L 产品标准。
    - 汽车应用认证:符合 AEC-Q101 标准。
    - 无铅、卤素/溴化物自由且 RoHS 合规:环保材料,满足现代生产标准。

    应用案例和使用建议


    NVTFS9D6P04M8L 适用于各种电源管理和高效率转换应用,如:
    - 开关电源:用于开关模式电源(SMPS)中的开关控制。
    - 电动工具:如电动自行车和电动摩托车的电机驱动系统。
    - 消费电子:电视、电脑和其他电子设备的电源管理单元。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保散热片能够有效地散发热量,以防止过温导致器件损坏。
    - 由于高电流特性,应在电路板设计中考虑适当的电流路径和布局,以避免过热和电磁干扰。

    兼容性和支持


    NVTFS9D6P04M8L 与其他标准组件兼容,广泛应用于各类电路中。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和产品维护服务,确保用户能够顺利进行产品设计和测试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高电流环境下器件发热严重。
    解决方案:增加散热片面积,或者采用外部冷却措施。

    2. 问题:器件在低温环境下性能不稳定。
    解决方案:检查电路板的设计是否合理,保证充分的散热路径。

    总结和推荐


    NVTFS9D6P04M8L 是一款高度集成的高性能 P 沟道 MOSFET,特别适用于紧凑设计和高效能应用。它的小尺寸、低导通电阻和低栅极电容等特点使其成为众多领域的理想选择。我们强烈推荐使用这款器件,尤其是对于需要高效率转换和紧凑设计的应用场合。
    通过以上技术手册的内容,我们可以看到 NVTFS9D6P04M8L 在各个方面均表现出色,无论是从产品设计还是实际应用中都具有显著的优势和可靠性。希望本篇文章能为您提供有价值的参考信息。

NVTFS9D6P04M8LTAG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 580µA
配置 -
Id-连续漏极电流 13A;64A
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 20A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.312nF@20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 3.2W(Ta),75W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 34.6nC@ 10 V
通道数量 -
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS9D6P04M8LTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS9D6P04M8LTAG数据手册

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NVTFS9D6P04M8LTAG封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.8495
10+ ¥ 5.9466
100+ ¥ 5.3282
500+ ¥ 5.233
1500+ ¥ 5.1379
3000+ ¥ 5.1379
4500+ ¥ 5.1379
库存: 962
起订量: 7 增量: 0
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