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NVJD4152PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 350mW 12V 1.2V@ 250µA 2.2nC@ 4.5V 20V 260mΩ@ 880mA,4.5V 880mA 155pF@20V SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: AV-S-NVJD4152PT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVJD4152PT1G

NVJD4152PT1G概述

    NTJD4152P/NVJD4152P MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTJD4152P/NVJD4152P 是一款双P沟道,小型信号,ESD保护,SC-88封装的MOSFET。这些MOSFET采用先进的沟槽技术,旨在提供低RDS(ON)性能,特别适合负载管理和充电电路等应用。该产品广泛应用于手机、计算设备、数码相机、MP3播放器和PDA等消费电子产品中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极到源极电压 | VDSS | -20 | V |
    | 栅极到源极电压 | VGS | ±12 | V |
    | 连续漏极电流(稳态) | ID | -0.88 | A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | 0.272 | W |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | ±3.0 | A |
    | 最高和最低工作温度 | TJ, TSTG | -55至150 | °C |
    其他关键参数包括:
    - 开启状态下漏极到源极的导通电阻:RDS(on)
    - 峰值漏极电流:IDM
    - 具有ESD保护的栅极

    产品特点和优势


    NTJD4152P/NVJD4152P 的独特功能包括:
    - 先进沟槽技术:实现低RDS(ON),提高整体性能。
    - 小封装:SC-88 封装提供了一种紧凑的设计方案,特别适用于空间受限的应用。
    - ESD保护:确保产品在组装和运输过程中具有高度可靠性。
    - AEC-Q101认证:符合汽车和其他特殊要求的应用标准。
    这些优势使得该MOSFET在负载管理、充电电路和开关应用中表现出色,并在市场上具备较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于各种便携式电子设备,如智能手机、笔记本电脑和平板电脑。具体应用包括电源管理和负载开关控制。为了获得最佳性能,建议如下:
    - 确保工作温度在-55°C 至 +150°C之间。
    - 使用稳态散热方案,以保持MOSFET在工作时的温度稳定。
    - 在高频应用中,考虑到电容特性可能影响切换性能。

    兼容性和支持


    NTJD4152P/NVJD4152P 与其他主流电子元器件具有良好的兼容性,适用于标准PCB布局。Semiconductor Components Industries 提供全面的技术支持,包括详细的应用指南和故障排除文档。此外,公司还提供了在线资源和技术文档库,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过热问题:如何避免?
    - 解决方案: 使用散热器并确保适当的散热设计。

    2. 性能不稳定:可能是什么原因?
    - 解决方案: 检查输入电压和温度是否在正常范围内,适当调整电路设计。
    3. 噪声干扰:如何减少?
    - 解决方案: 使用屏蔽线缆和接地良好的设计。

    总结和推荐


    NTJD4152P/NVJD4152P 具备出色的低RDS(ON)性能和小封装,非常适合于现代便携式电子设备。通过其高级别特性,如ESD保护和AEC-Q101认证,使其成为高性能负载管理和开关应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能和可靠性的设计工程师。
    本文档内容基于 Semiconductor Components Industries, LLC 官方资料整理而成。如果您需要更详细的资料或技术支持,请访问官方网站 [onsemi](https://www.onsemi.com/) 或联系您的销售代表。

NVJD4152PT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 155pF@20V
栅极电荷 2.2nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 880mA
通道数量 -
最大功率耗散 350mW
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 880mA,4.5V
配置 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 散装,卷带包装

NVJD4152PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVJD4152PT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVJD4152PT1G NVJD4152PT1G数据手册

NVJD4152PT1G封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.137 ¥ 1.2121
6000+ $ 0.104 ¥ 0.9201
9000+ $ 0.0975 ¥ 0.8625
21000+ $ 0.0927 ¥ 0.8203
36000+ $ 0.0865 ¥ 0.7653
66000+ $ 0.0823 ¥ 0.7279
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 3636.3
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