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FDBL86363-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 357W(Tj) 20V 4V@ 250µA 169nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2mΩ@ 80A,10V 240A 10nF@40V HPSOF-8 贴片安装 10.48mm*9.9mm*2.4mm
供应商型号: 10B-3004003-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDBL86363-F085

FDBL86363-F085概述

    FDBL86363-F085 MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDBL86363-F085 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 POWERTRENCH™ 技术。这种 MOSFET 主要应用于汽车发动机控制、动力总成管理、电磁阀和电机驱动等领域。它具有出色的开关性能和高可靠性,适用于高电流应用场合。

    技术参数


    - 电压等级:80 V
    - 连续漏极电流(TJ = 25°C):240 A
    - 脉冲漏极电流:见图4
    - 单脉冲雪崩能量:512 mJ
    - 功率耗散:357 W
    - 热阻(RJC):0.42 °C/W
    - 最大热阻(RJA):43 °C/W
    - 栅极至源极阈值电压:2.0 V 至 4.0 V
    - 导通电阻(RDS(on)):1.5 mΩ 至 2.0 mΩ
    - 输入电容:10,000 pF
    - 输出电容:1,540 pF
    - 反向传输电容:70 pF
    - 总栅极电荷(Qg(TOT)):130 nC 至 169 nC
    - 导通时间:133 ns
    - 关断时间:140 ns
    - 源极到漏极二极管电压(ISD = 80 A, VGS = 0 V):1.25 V
    - 反向恢复时间:83 ns 至 108 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):118 nC 至 153 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on) 为 1.5 mΩ,使得它适用于高电流应用。
    2. 高UIS能力:能承受高电压冲击。
    3. AEC-Q101认证:符合汽车级标准,具备高可靠性。
    4. 环保材料:无铅,符合RoHS标准。
    5. 高可靠性和稳定性:长期工作稳定,可靠性高。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 汽车发动机控制
    - 动力总成管理
    - 电磁阀和电机驱动
    2. 使用建议:
    - 在选择应用时,应考虑电路的工作温度范围,以确保 MOSFET 的性能稳定。
    - 为了提高可靠性,建议将散热设计考虑在内,确保 RJA 和 RJC 值能够满足应用需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数电子系统兼容,尤其是汽车电子和工业控制系统。
    - 支持:提供详细的电气特性和机械数据表,帮助工程师进行选型和设计。此外,还可以联系当地的销售代表获取进一步的技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的栅极电阻?
    - A: 可参考数据表中的 Rg 参数,根据应用需求选择合适的栅极电阻。
    2. Q:如何确保MOSFET的散热效果?
    - A: 设计时应考虑散热片或其他散热措施,保证 RJA 值在合理范围内。
    3. Q:如何判断MOSFET是否损坏?
    - A: 通过测量 RDS(on) 和 VGS(th) 等参数来判断,如果超出正常范围,可能需要更换。

    总结和推荐


    FDBL86363-F085 MOSFET 是一款非常优秀的 N 沟道 MOSFET,具备出色的导通电阻和高UIS能力。它广泛应用于汽车和工业领域,特别是在高电流和高可靠性要求的应用中表现出色。推荐使用此产品,尤其是在涉及汽车和工业自动化领域的应用中。对于任何对性能有严格要求的应用,这款MOSFET都是一个可靠的选择。

FDBL86363-F085参数

参数
Id-连续漏极电流 240A
最大功率耗散 357W(Tj)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 169nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 80A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10nF@40V
长*宽*高 10.48mm*9.9mm*2.4mm
通用封装 HPSOF-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDBL86363-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDBL86363-F085数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDBL86363-F085 FDBL86363-F085数据手册

FDBL86363-F085封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 34.7054
10+ ¥ 27.5627
44+ ¥ 27.5627
20000+ ¥ 20.9058
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