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FCP9N60N-F102

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83.3W(Tc) 30V 4V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 600V 385mΩ@ 4.5A,10V 9A 1.24nF@100V TO-220F 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FL-FCP9N60N-F102
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCP9N60N-F102

FCP9N60N-F102概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel SupreMOS® MOSFET

    1. 产品简介


    N-Channel SupreMOS® MOSFET是一种高性能的场效应晶体管(MOSFET),专为高电压和高频率开关电源设计。该产品采用了Fairchild Semiconductor公司下一代的超级结(SJ)技术,通过深沟槽填充工艺显著提高了效率和性能。主要功能包括极低的导通电阻(RDS(on))、超低的栅极电荷(Qg),以及出色的开关性能。该产品广泛应用于LCD/LED/PDP电视、照明系统、太阳能逆变器以及AC-DC电源供应器等领域。

    2. 技术参数


    以下是SupreMOS® MOSFET的关键技术规格:
    | 参数 | 型号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGSS | -30 | - | +30 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | - | 9.0 | - | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDM | - | 27 | - | A |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 600 | - | - | V |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | - | 330 mΩ | 385 mΩ | Ω |
    | 栅极总电荷 | Qg(tot) | - | 22.0 | 29.0 | nC |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 2.2 | - | µC |
    | 工作温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | +150 | °C |
    注释:本产品符合RoHS标准,具备100%雪崩测试合格证明。

    3. 产品特点和优势


    SupreMOS® MOSFET的核心优势包括:
    - 极低导通电阻:典型的RDS(on)值为330 mΩ,有助于降低功耗并提高效率。
    - 超低栅极电荷:典型Qg仅为22 nC,可显著减少驱动损耗。
    - 优异的开关性能:适用于高频切换应用,如太阳能逆变器和服务器电源。
    - 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境下正常运行。
    这些特点使其成为工业和消费类电子设备中高效能MOSFET的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品被广泛应用于多种场景:
    - LCD/LED/PDP电视:用于背光驱动电路,提供稳定的高功率输出。
    - 照明系统:配合高效LED驱动器,实现节能效果。
    - 太阳能逆变器:支持高效的能量转换和存储。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议搭配适当的散热器以延长使用寿命。
    - 设计时需注意避免过载,特别是在高温环境中运行。

    5. 兼容性和支持


    SupreMOS® MOSFET兼容多种封装形式,包括TO-220和TO-220F,便于直接替换传统MOSFET。Fairchild Semiconductor为客户提供全面的技术支持,包括详细的应用指南和故障排除文档。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题:导通电阻偏高。
    解决办法:检查输入电压是否满足要求,确保良好的热管理。
    - 问题:开关速度慢。
    解决办法:优化栅极驱动电路,减少寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    SupreMOS® MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在高电压、高频率应用中表现出色。推荐此产品用于需要高效能、低损耗和紧凑设计的场景。对于寻求高质量电子元器件的工程师而言,它是一个值得信赖的选择。

    最终评价:高度推荐。

FCP9N60N-F102参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 -
Id-连续漏极电流 9A
最大功率耗散 83.3W(Tc)
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.24nF@100V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 385mΩ@ 4.5A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 29nC@ 10 V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FCP9N60N-F102厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCP9N60N-F102数据手册

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FCP9N60N-F102封装设计

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型号 价格(含增值税)
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