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NTD4858N-35G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.3W(Ta),54.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 19.2nC@ 4.5 V 1个N沟道 25V 6.2mΩ@ 30A,10V 11.2A,73A 1.563nF@12V TO-251 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: CY-NTD4858N-35G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4858N-35G

NTD4858N-35G概述

    NTD4858N MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTD4858N 是一款单片式 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为电源管理应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))、低电容和优化栅极电荷等特点,能够有效降低导通损耗、驱动损耗和开关损耗。这款 MOSFET 在电压为 25V 时最大连续漏电流可达 73A,非常适合用于 VR Core 应用、DC-DC 转换器以及高低侧开关等场合。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDSS): 25V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TA = 25°C 时为 14A
    - TA = 85°C 时为 10.9A
    - 功率耗散 (PD):
    - TA = 25°C 时为 2.0W
    - TA = 85°C 时为 1.3W
    - 脉冲漏电流 (IDM): 146A
    - 脉冲漏电流最大值 (IDmaxPkg): 45A
    - 工作温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时为 5.2mΩ 至 6.2mΩ
    - VGS = 4.5V 时为 7.3mΩ 至 9.3mΩ
    - 输入电容 (CISS): 1563pF
    - 输出电容 (COSS): 405pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 200pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):
    - VGS = 4.5V 时为 12.8nC 至 19.2nC
    - VGS = 10V 时为 25.7nC
    - 转换导电度 (gFS): 55S
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(ON)):
    - VGS = 4.5V 时为 12.6ns
    - VGS = 11.5V 时为 7.7ns
    - 上升时间 (tr): 20.2ns
    - 关闭延迟时间 (td(OFF)): 16.4ns
    - 下降时间 (tf): 5.1ns

    产品特点和优势


    NTD4858N 采用沟槽技术,具备以下几个显著特点:
    - 低导通电阻 (RDS(on)),有助于减少传导损耗;
    - 低电容,减少驱动损耗;
    - 优化栅极电荷,减少开关损耗;
    - 铅(Pb)- Free 设计,环保且符合 RoHS 标准。
    这些特点使得 NTD4858N 在各种电力应用中表现出色,特别是对于需要高效率和低损耗的场合,例如 VR Core 应用、DC-DC 转换器和高低侧开关等。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的应用实例,NTD4858N 主要应用于以下场合:
    - VR Core 应用: 通过低导通电阻和优化栅极电荷实现高效的电源转换。
    - DC-DC 转换器: 利用其低电容特性减少驱动损耗。
    - 高低侧开关: 适用于各种高功率电路,利用其脉冲漏电流能力和良好的热稳定性。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在高负载条件下选择合适的散热方案以保持适当的温升。
    - 使用正确的栅极电阻(RG)以优化开关时间,从而进一步提高系统效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NTD4858N 采用标准 DPAK 和 IPAK 封装,可以轻松与其他电子元器件兼容。
    - 支持: Semiconductors Components Industries, LLC 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够在实际应用中获得最佳效果。

    常见问题与解决方案


    手册中列出了常见问题及其解决方案,以下是几个例子:
    - 问题: 漏电流过大
    - 解决方案: 检查焊接质量,确保接线牢固;检查工作温度,避免过热。
    - 问题: 开关时间异常
    - 解决方案: 确认栅极电阻 (RG) 的设置正确,适当调整以优化开关速度。
    - 问题: 过压保护失效
    - 解决方案: 安装外部过压保护电路,例如齐纳二极管。

    总结和推荐


    总的来说,NTD4858N MOSFET 凭借其卓越的电气性能、出色的热稳定性和广泛的适用性,是高性能电源管理系统的一个理想选择。它不仅在 VR Core 应用和 DC-DC 转换器中表现出色,还适用于需要高可靠性的其他应用场合。因此,强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高效能、低损耗解决方案的应用中。
    通过细致的技术参数分析、丰富的应用场景和详实的支持服务,NTD4858N MOSFET 在市场上具有较强的竞争力,值得电子设计师和技术人员的高度关注和采纳。

NTD4858N-35G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6.2mΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 11.2A,73A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.563nF@12V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 19.2nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 25V
最大功率耗散 1.3W(Ta),54.5W(Tc)
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

NTD4858N-35G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4858N-35G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD4858N-35G NTD4858N-35G数据手册

NTD4858N-35G封装设计

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