处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83W(Tc) 25V 5V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个N沟道 600V 2Ω@ 2A,10V 4A 600pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: 2992321
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM概述

    FDD5N60NZ N-Channel UniFETTM II MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDD5N60NZ 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)开发。这款MOSFET采用了先进的平面条纹和DMOS技术,具备低导通电阻和卓越的开关性能,特别适用于高电压和高频电路的设计。其主要应用领域包括LCD/LED/PDP电视、照明设备和不间断电源系统。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):600V
    - 最大连续电流 (ID):4.0A(25°C时)
    - 脉冲电流 (IDM):16A
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.65Ω(典型值,在VGS = 10V,ID = 2.0A条件下)
    - 门极电荷 (Qg):10nC(典型值)
    - 输出电容 (Coss):50pF(典型值)
    - 结到壳热阻 (RθJC):1.5°C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA):90°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:FDD5N60NZ的典型导通电阻为1.65Ω,显著降低了功耗和发热。
    - 低门极电荷:门极电荷低至10nC,有助于提高电路的能效。
    - 高可靠性:该产品通过了100%雪崩测试,确保了更高的可靠性。
    - 静电防护:内部门源ESD二极管使其能够承受高达2kV的HBM(人体模型)瞬态浪涌。

    4. 应用案例和使用建议


    - LCD/LED/PDP电视:FDD5N60NZ可用于电视背光驱动电路中,提高能效和减少发热。
    - 照明设备:作为照明电源转换器的核心组件,提供高效稳定的输出。
    - 不间断电源系统:用于PFC(功率因数校正)电路,提高系统的效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在使用时需注意散热设计,确保散热片有足够的散热面积。
    - 考虑到高温环境下MOSFET的工作温度,选择合适的散热方案和安装位置。

    5. 兼容性和支持


    - FDD5N60NZ采用D-PAK封装,方便与其他标准封装的元器件兼容。
    - ON Semiconductor提供了详尽的技术支持文档,涵盖产品应用和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何优化散热?
    解决方案:使用高效的散热片并保证良好的空气流通。

    - 问题2:门极电荷过高会有什么影响?
    解决方案:选用门极电荷更低的产品,或在电路设计中增加相应的缓冲电路以降低输入电容。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDD5N60NZ N-Channel UniFETTM II MOSFET 是一款具有高性价比的MOSFET,特别适用于需要高电压、高频切换的应用场合。其优异的导通电阻、低门极电荷及高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐该产品用于各类高要求的电源转换和控制电路中。
    希望本文能够帮助您更好地了解FDD5N60NZ的技术特性和应用潜力,如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请联系ON Semiconductor获取官方技术支持。

FDD5N60NZTM参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 13nC@ 10 V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 83W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 600pF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 25V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD5N60NZTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD5N60NZTM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM数据手册

FDD5N60NZTM封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.2088
10+ ¥ 4.7036
100+ ¥ 4.2144
500+ ¥ 4.1392
1000+ ¥ 4.0639
5000+ ¥ 4.0639
库存: 4198
起订量: 11 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 47.03
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336