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HUF75645S3ST

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 310W(Tc) 20V 4V@ 250µA 238nC@ 20 V 1个N沟道 100V 14mΩ@ 75A,10V 75A 3.79nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: HUF75645S3ST
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF75645S3ST

HUF75645S3ST概述

    HUF75645N-Channel UltraFET Power MOSFET技术手册

    产品简介


    HUF75645是一款高性能N-Channel UltraFET Power MOSFET,主要用于直流到直流转换器、开关电源(SMPS)和电机驱动器等应用中。其主要功能是作为开关器件,能够在高效率下处理大电流和高电压。该产品通过超低导通电阻提供出色的功率效率,适用于各种高功率应用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 (VDSS):100 V
    - 漏源连续电流 (ID):75 A(25°C),65 A(100°C)
    - 漏源最大脉冲电流 (IDM):310 A
    - 额定脉冲雪崩能量 (UIS):可从曲线获取

    - 电气参数:
    - 导通电阻 (rDS(ON)):10 V栅极电压下的值为 0.014Ω
    - 栅极电荷 (Qg):238 nC(总电荷)

    - 热参数:
    - 热阻 (RθJC):0.48°C/W(结至外壳)
    - 热阻 (RθJA):62°C/W(结至环境)

    - 其他参数:
    - 开关时间 (tON, tOFF):分别为 197 ns 和 207 ns
    - 输入电容 (CISS):3790 pF
    - 输出电容 (COSS):810 pF
    - 反向传输电容 (CRSS):230 pF

    产品特点和优势


    HUF75645具备以下显著特点和优势:
    - 超低导通电阻:rDS(ON)仅为0.014Ω(10V栅压),使得该器件在高功率应用中具有极高的效率。
    - 出色的仿真模型:提供了温度补偿的SPICE和SABER模型,能够准确模拟器件的行为。
    - 高脉冲电流能力:可以承受高达310A的峰值电流,适合高频开关应用。
    - 优越的热管理能力:通过低热阻设计确保长时间运行下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - DC-DC转换器:在汽车电子和工业自动化中,HUF75645常用于电源转换模块,以提高整体效率。
    - 开关电源(SMPS):适用于需要大电流输出的应用,如数据中心电源系统。
    - 使用建议:
    - 确保电路中的电流和电压不超过器件的额定值,特别是峰值电流要特别注意。
    - 在高温环境下工作时,应根据数据表中的降额曲线适当调整电流负载。

    兼容性和支持


    HUF75645与标准的TO-220AB和TO-263AB封装兼容,便于集成到现有的电路设计中。ON Semiconductor提供了详细的技术支持文档和应用笔记,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解答:通常情况下,10V栅极电压可以确保器件在最大额定电流下正常工作。但具体应用需根据实际情况进行验证。

    - 问题2:器件过热怎么办?
    - 解答:检查散热系统是否有效,必要时添加散热片或强制风冷。

    总结和推荐


    HUF75645凭借其超低的导通电阻、高脉冲电流能力和完善的仿真模型,成为一款非常理想的高性能MOSFET。其在多种高功率应用中表现优异,特别是在要求高效率和可靠性的场合。强烈推荐在需要高效功率转换和控制的应用中使用HUF75645。
    通过上述内容,我们可以清晰地了解HUF75645的技术规格和优势,为其在各种高功率应用中的使用提供了详尽的指导和支持。

HUF75645S3ST参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 238nC@ 20 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 75A
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 75A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 310W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.79nF@25V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

HUF75645S3ST厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF75645S3ST数据手册

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HUF75645S3ST封装设计

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