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FQB30N06LTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=60 V, 32 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 1662529
供应商: 海外现货
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQB30N06LTM

FQB30N06LTM概述

    FQB30N06L N-Channel QFET® MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQB30N06L 是一款由Fairchild Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。其主要特征是低导通电阻和高雪崩能量强度,适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制及变频电源等多种应用领域。这款MOSFET采用Fairchild专有的平面条纹技术和DMOS工艺制造,以确保其卓越的开关性能和可靠性。

    技术参数


    FQB30N06L的主要技术规格如下:
    | 参数 | 单位 | 值 |
    |
    | 最大栅极-源极电压 | V | ±20 |
    | 漏-源极电压 | V | 60 |
    | 漏极连续电流(TC = 25°C) | A | 32 |
    | 漏极连续电流(TC = 100°C) | A | 22.6 |
    | 单脉冲雪崩能量 | mJ | 350 |
    | 额定热阻,结到外壳 | °C/W | 1.90 |
    | 额定热阻,结到环境(最小铜垫为2盎司铜) | °C/W | 62.5 |
    | 额定热阻,结到环境(1平方英寸铜垫为2盎司铜) | °C/W | 40 |

    产品特点和优势


    FQB30N06L具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:最大导通电阻仅为35毫欧姆(当VGS=10V,ID=16A时),极大地降低了功耗。
    - 低门电荷:典型值为15纳库,有助于提高开关速度。
    - 低逆向转移电容:典型值为50皮法,有助于降低开关损耗。
    - 高可靠性:100%进行了雪崩测试。
    - 高温额定值:最高结温可达175°C,适合严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    FQB30N06L MOSFET非常适合用于需要高效率和高性能的应用,例如:
    - 开关电源:可用于转换器中,有效提升整体能效。
    - 音频放大器:用于驱动扬声器,减少失真并提高音质。
    - 直流电机控制:可提供精确的电机控制,提高运行稳定性。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑适当的散热措施,以防止过热。
    - 选择合适的门极电阻以优化开关速度。
    - 在高功率应用中,考虑使用更大的铜垫以进一步降低热阻。

    兼容性和支持


    FQB30N06L MOSFET与市场上常见的电源管理和电机控制芯片具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的设计中。ON Semiconductor作为制造商,提供了全面的技术支持,包括详细的产品文档和故障排除指南,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    根据手册中提供的常见问题和解决方案,以下是几个常见的问题及其解决办法:
    1. Q:MOSFET发热严重,如何解决?
    A:确保电路设计中采用了足够的散热措施,如添加散热片或使用更大尺寸的铜垫来增加散热面积。

    2. Q:如何优化MOSFET的开关速度?
    A:通过调整门极电阻来优化开关速度。较小的门极电阻可以加速开关过程,但也会增加门极充电电流。

    总结和推荐


    总体而言,FQB30N06L是一款高效且可靠的N沟道MOSFET,尤其适用于需要高功率密度和高性能的应用场景。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。因此,我强烈推荐使用这款产品。
    如果您对这款产品有任何疑问或需要进一步的技术支持,可以直接访问ON Semiconductor的官方网站,或联系授权分销商获取更多信息。

FQB30N06LTM参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 16A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.04nF@25V
最大功率耗散 3.75W(Ta),79W(Tc)
栅极电荷 20nC@ 5 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 32A
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

FQB30N06LTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQB30N06LTM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQB30N06LTM FQB30N06LTM数据手册

FQB30N06LTM封装设计

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