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FDN358P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 1.5 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-FDN358P
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDN358P

FDN358P概述

    # FDN358P P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDN358P 是一款单片 P-Channel、逻辑电平、PowerTrench MOSFET。这款MOSFET采用 ON Semiconductor 先进的Power Trench工艺制造,旨在最大程度上减小导通电阻(RDS(ON))的同时保持低栅极电荷(Qg),以实现卓越的开关性能。它特别适用于便携式电子设备,如负载开关和电源管理、电池充电电路及直流到直流转换器等领域。

    技术参数


    - 最大电压(VDSS): -30V
    - 最大连续漏极电流(ID): -1.5A
    - 最大漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = -10V 时为 125mΩ
    - VGS = -4.5V 时为 200mΩ
    - 典型栅极电荷(Qg): 4nC
    - 输入电容(Ciss): 182pF
    - 输出电容(Coss): 56pF
    - 热阻(RθJA): 250°C/W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 封装: SOT-23

    产品特点和优势


    FDN358P MOSFET 的主要特点是其极低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,这使其在开关性能方面表现出色。此外,该器件具有高功率处理能力,比标准SOT-23封装的功率高30%。它的绝对最大额定值(例如栅极-源极电压为±20V)确保了其在各种环境下的可靠运行。在低功耗、高性能应用中,FDN358P 表现出了明显的优势,特别是在便携式电子设备中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDN358P 主要应用于便携式电子设备中的负载开关、电池充电电路及直流到直流转换器。其低导通电阻和快速开关时间有助于提高系统效率并减少功耗。例如,在负载开关应用中,FDN358P 可用于控制电池供电设备中的电源供应,以节省能量。
    使用建议
    在设计中使用 FDN358P 时,需要考虑其高栅极电荷可能对驱动电路造成的压力。因此,建议使用适当的门极电阻来限制电流,同时保持低导通电阻以获得最佳性能。另外,要确保系统的散热设计能够应对 FDN358P 的高功率损耗,避免过热问题。

    兼容性和支持


    FDN358P 与标准 SOT-23 封装兼容,因此可以直接替换同类其他型号的 MOSFET。ON Semiconductor 提供了详细的技术支持文档和技术支持服务,以帮助用户解决安装和调试过程中可能出现的问题。如果您需要更多技术支持或订购产品,可以访问 ON Semiconductor 官方网站获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    问题1: 在高温环境下工作时,FDN358P 的性能如何?
    解决方案: FDN358P 的热阻较低(RθJA = 250°C/W),可以在宽泛的工作温度范围内(-55°C 至 +150°C)稳定运行。然而,在高温环境下使用时,需要保证良好的散热条件以避免过热。
    问题2: 如何确保 FDN358P 的驱动信号正确无误?
    解决方案: 使用合适的栅极电阻来限制栅极驱动电流,并且确认驱动信号的幅值满足 VGS 的要求(-10V 和 -4.5V)。如果栅极电平不够高,则可能导致导通不完全,影响器件性能。

    总结和推荐


    总体而言,FDN358P P-Channel MOSFET 在便携式电子设备中的表现非常出色,尤其是在电池充电电路和负载开关应用中。其独特的特性,如低导通电阻和快速开关时间,使得它成为高效、紧凑型电源管理解决方案的理想选择。如果您正在寻找一个适用于便携式电子设备的高效 MOSFET,我们强烈推荐使用 FDN358P。

FDN358P参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 1.5A,10V
最大功率耗散 500mW(Ta)
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 5.6nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 1.5A
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 182pF@15V
长*宽*高 2.92mm*1.4mm*950μm
通用封装 SUPERSOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDN358P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDN358P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDN358P FDN358P数据手册

FDN358P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.3204
10+ ¥ 1.171
30+ ¥ 1.0985
100+ ¥ 1.0414
500+ ¥ 0.9587
1000+ ¥ 0.9
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