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NTMYS014N06CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 36 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: 3236753
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS014N06CLTWG

NTMYS014N06CLTWG概述


    产品简介


    NTMYS014N06CL Power MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于多种电力转换应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)的特点,能够在减少驱动损耗的同时提高效率。此外,该MOSFET采用行业标准的LFPAK4封装,具备小尺寸(5x6 mm)的设计优势,适用于紧凑型设计。同时,该产品是无铅且符合RoHS标准,确保环保要求。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):60 V
    - 最大连续漏电流 (ID):36 A (TC=25°C),21 A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):185 A
    - 最大功率耗散 (PD):37 W (TC=25°C),12 W (TC=100°C)
    - 热阻 (RJC):4.1 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 关断漏电流 (IDSS):10 μA (TJ=25°C),250 μA (TJ=125°C)

    产品特点和优势


    1. 紧凑设计:5x6 mm的小尺寸,适合紧凑型电路设计。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)):最小值为12.5 mΩ (VGS=10 V, ID=10 A),有助于减少导通损耗。
    3. 低栅极电荷 (QG):最小值为4.5 nC (VGS=4.5 V),可以降低驱动器损耗。
    4. 高可靠性:无铅和符合RoHS标准,保证了环保要求。
    5. 优越的热性能:低热阻(RJC=4.1 °C/W),有效散热,提升长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:该MOSFET广泛应用于电源转换、电机驱动和LED照明等领域。例如,在开关电源中,它可以帮助降低功耗并提高整体能效。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意MOSFET的工作温度,以确保其处于安全工作范围内。
    - 对于高频开关应用,建议合理选择栅极电阻(RG)以优化开关时间。
    - 对于大功率应用,需要合理布局电路板以帮助散热,提高MOSFET的使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用行业标准的LFPAK4封装,与多种电路板设计兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和产品文档,确保客户在使用过程中能够获得及时帮助。通过电话、电子邮件或官方网站,客户可以获取详细的使用指南和技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高温环境下出现异常。
    - 解决方案:检查电路板设计是否满足散热要求,考虑增加散热片或优化布线。
    2. 问题:MOSFET在高频率应用中表现不佳。
    - 解决方案:调整栅极电阻(RG)值以优化开关时间,确保其在高频环境下的稳定运行。
    3. 问题:MOSFET出现损坏。
    - 解决方案:检查电源输入是否超出最大额定值,避免过压或过流情况。

    总结和推荐


    NTMYS014N06CL Power MOSFET凭借其卓越的电气性能和可靠性,非常适合多种高压和大电流应用场合。其紧凑设计和低导通电阻使得该产品在市场上具有显著的竞争优势。无论是用于电源转换还是电机控制,这款MOSFET都表现出色。强烈推荐给需要高性能、可靠性和紧凑设计的应用工程师和系统设计师。

NTMYS014N06CLTWG参数

参数
栅极电荷 9.7nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 25µA
Id-连续漏极电流 36A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 620pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 10A,10V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),37W(Tc)
长*宽*高 5mm(长度)
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMYS014N06CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS014N06CLTWG数据手册

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NTMYS014N06CLTWG封装设计

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