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NTMFS4921NBT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 5.61W 20V 2.5V 10.7nC@ 4.5V,25nC@ 11.5V 1个N沟道 30V 6.95mΩ@ 11.5V 1.4nF@ 12V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4921NBT1G

NTMFS4921NBT1G概述


    产品简介


    MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL
    产品类型: MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高效导电能力
    - 低栅极电荷以减少开关损耗
    - 低漏源导通电阻以降低传导损耗
    - 热增强封装设计
    应用领域:
    - CPU电源管理
    - 直流-直流转换器
    - 高侧开关应用

    技术参数


    以下是产品的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 58.5 | A |
    | 连续功率耗散 | PD | 38.5 | W |
    | 热阻抗 | RJA (Steady State) | 58.3 | °C/W |
    | 开启延时时间 | td(ON) | 13.3 | ns |
    | 关闭延时时间 | td(OFF) | 16.6 | ns |
    | 反向恢复时间 | tRR | 11 | ns |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | 16 | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 6.95 | mΩ |

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):显著减少了导通损耗,有助于提高整体能效。
    - 低电容:减小了驱动损耗,提升了开关速度。
    - 优化的栅极电荷:减小了开关损耗,特别是在高频应用中表现出色。
    - 热增强SO-8封装:提高了散热性能,确保长时间稳定运行。
    - 无铅化设计:符合环保要求,确保长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET广泛应用于CPU电源管理模块、直流-直流转换器以及高侧开关系统。在这些应用场景中,其高效的导电能力和低栅极电荷确保了系统在不同负载下的稳定性和可靠性。
    使用建议
    - 散热管理:尽管具有热增强封装,仍需确保良好的散热设计以避免过热。
    - 电路布局:在PCB设计中,合理布局和走线,避免引脚之间的寄生电感影响性能。
    - 栅极驱动:考虑使用合适的栅极驱动电路,以进一步优化开关速度和降低栅极损耗。

    兼容性和支持


    该产品兼容标准SO-8封装尺寸,易于与现有的电路板进行集成。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和应用笔记,以帮助客户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关延迟时间如何优化?
    - A: 调整栅极电阻(RG),通常较小的RG值可以减少开关延迟时间。

    2. Q: 如何处理过高的功耗?
    - A: 确保良好的散热设计,必要时增加散热片或风扇。
    3. Q: 开启和关闭延时时间不一致怎么办?
    - A: 检查电路板上相关元器件的连接是否正确,确保没有额外的寄生电感和电容影响。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:低RDS(on)、优化的栅极电荷和热增强封装使其在多种应用中表现出色,尤其是高效率的直流-直流转换和电源管理系统。
    - 适用场景:适用于需要高效、低损耗的高性能电子系统。
    推荐:
    考虑到其出色的性能和广泛的应用场景,强烈推荐使用此款MOSFET。尤其是在那些需要高效电源管理和稳定性能的场合,这款产品将会是最佳选择。

NTMFS4921NBT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6.95mΩ@ 11.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@ 12V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 5.61W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 -
栅极电荷 10.7nC@ 4.5V,25nC@ 11.5V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

NTMFS4921NBT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4921NBT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4921NBT1G NTMFS4921NBT1G数据手册

NTMFS4921NBT1G封装设计

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