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NVMFS5C410NWFAFT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),166W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 40V 920μΩ@ 50A,10V 46A,300A 6.1nF@25V SO-8FL 贴片安装
供应商型号: NVMFS5C410NWFAFT3G
供应商: P&S
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C410NWFAFT3G

NVMFS5C410NWFAFT3G概述

    NVMFS5C410N MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    NVMFS5C410N 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,专为需要高效能和高可靠性的电路设计而设计。该产品主要用于电源转换和控制应用,如开关电源(SMPS)、直流电机驱动、电池管理和 LED 照明系统。凭借其低导通电阻和紧凑的设计,NVMFS5C410N 可显著减少功耗并提升系统效率。

    技术参数


    以下是 NVMFS5C410N 的主要技术参数:
    - 电压范围: 40 V (VDSS)
    - 连续漏极电流: 300 A (ID, TC = 25°C); 212 A (ID, TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流: 900 A (tp = 10 μs)
    - 导通电阻: 0.92 mΩ (VGS = 10 V, ID = 50 A)
    - 总栅极电荷: 86 nC (VGS = 10 V, VDS = 32 V, ID = 50 A)
    - 阈值栅极电荷: 18 nC (VGS = 10 V, VDS = 32 V, ID = 50 A)
    - 输入电容: 6100 pF (VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 25 V)
    - 输出电容: 3400 pF
    - 反向传输电容: 70 pF
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 封装尺寸: 5x6 mm (DFN5)

    产品特点和优势


    - 紧凑设计: 小型化封装(5x6 mm),适用于紧凑的设计空间。
    - 低导通电阻: 最低导通电阻仅为 0.92 mΩ,能够显著降低传导损耗。
    - 低栅极电荷: 低栅极电荷和栅极电容有助于减少驱动损耗。
    - 增强检测能力: 有湿可焊侧选项,便于增强光学检测。
    - 车规认证: AEC-Q101 认证和 PPAP 能力,适合汽车应用。
    - 环保设计: 无铅,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C410N 主要应用于以下几个方面:
    - 电源转换和管理: 如 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。
    - 电动工具和驱动器: 包括直流电机驱动。
    - LED 照明系统: 用于高效能照明系统。
    - 便携式电子产品: 如笔记本电脑、平板电脑等电源管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以避免过热。
    - 根据负载需求选择合适的驱动器和栅极电阻。
    - 注意栅极驱动电压和漏极电压的配合,避免过压损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与市场上常见的 PCB 设计和焊接工艺兼容。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和支持,包括产品订购信息和封装图纸,可通过官方网站获取。

    常见问题与解决方案


    - Q: 导通电阻过高?
    - A: 检查电路设计,确保栅极驱动电压达到要求。如未达到,请增加驱动能力或减小栅极电阻。
    - Q: 发生热失控?
    - A: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或外部冷却装置。
    - Q: 电气参数不匹配?
    - A: 确认所有电气参数均满足应用需求,必要时更换其他型号。

    总结和推荐


    NVMFS5C410N 是一款高性能、高可靠性且具有竞争力的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力电子应用。其优异的导通特性和紧凑设计使其在高效能系统中具有明显优势。因此,强烈推荐在需要高效能和高可靠性的电源转换和控制系统中使用。

NVMFS5C410NWFAFT3G参数

参数
栅极电荷 86nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3.9W(Ta),166W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 920μΩ@ 50A,10V
Id-连续漏极电流 46A,300A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.1nF@25V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
通用封装 SO-8FL
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVMFS5C410NWFAFT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C410NWFAFT3G数据手册

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NVMFS5C410NWFAFT3G封装设计

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1000+ ¥ 23.9136
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