处理中...

首页  >  产品百科  >  FCPF11N60NT

FCPF11N60NT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 32.1W(Tc) 30V 4V@ 250µA 35.6nC@ 10V 1个N沟道 600V 299mΩ@ 5.4A,10V 10.8A 1.505nF@100V TO-220F 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: FL-FCPF11N60NT
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCPF11N60NT

FCPF11N60NT概述


    产品简介


    产品类型:
    FCP11N60N / FCPF11N60NT 是一款N沟道SupreMOS® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关电源转换应用。
    主要功能:
    - 具有超低栅极电荷(典型值 Qg = 27.4 nC)
    - 输出电容极低(典型值 Coss(eff.) = 130 pF)
    - 支持高达 600 V 的漏源电压
    - 最大持续漏极电流为 10.8 A
    - 采用深沟槽填充工艺,可实现低导通电阻(RDS(on))
    应用领域:
    - LCD/LED/PDP 电视
    - 照明系统
    - 太阳能逆变器
    - AC-DC 电源供应器

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 600 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | 10.8 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 201.7 | mJ |
    | 功率耗散 (PD) | 94.0 | W |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 255 mΩ (Typ.) | Ω |
    | 集电极-发射极电压 (BVDSS) | 600 - - | V |
    | 栅体漏电流 (IGSS) | ±100 nA
    | 栅阈电压 (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 | V |
    | 反向恢复时间 (trr) | 268 | ns |

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 采用先进的深沟槽填充工艺,提供最低的导通电阻和出色的开关性能。
    - 具有低栅极电荷,适合高频应用。
    - 高温稳定性好,适用于极端环境。
    优势:
    - 在LCD/LED/PDP电视、照明系统、太阳能逆变器及AC-DC电源供应器等领域具有优异表现。
    - 由于其优越的性能和稳定性,非常适合于高频开关电源设计,从而提升系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LED照明系统:FCP11N60N / FCPF11N60NT在LED照明系统中作为高效驱动器,显著降低能耗并提高灯具的寿命。
    - 太阳能逆变器:通过使用该MOSFET,可以实现更高的转换效率,减少电力损耗。
    使用建议:
    - 在高功率密度的开关电源设计中,应考虑使用适当的散热措施,以确保MOSFET的工作温度不超过其最大额定值。
    - 在选择栅极驱动电路时,注意控制栅极电荷和栅极驱动电压,以避免过高的栅极电压导致损坏。

    兼容性和支持


    - 该产品具有TO-220和TO-220F两种封装形式,易于集成到现有设计中。
    - ON Semiconductor提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助客户快速掌握产品特性并应用于实际项目中。
    - 通过访问官方网站和联系技术支持团队,用户可以获得及时的帮助和解决方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决办法: 根据产品手册推荐的VGS = 10 V来选择栅极驱动电压,确保器件能够正常开启且不会超过最大额定电压。
    2. 问题:产品在高温环境下是否会受到影响?
    - 解决办法: 需要特别注意散热设计,确保MOSFET的工作温度不超过最大额定值。可以通过增加散热片或强制冷却来改善散热效果。
    3. 问题:在大功率应用中是否需要额外保护措施?
    - 解决办法: 在设计中加入必要的保护措施,如过流保护、过压保护等,以防止设备损坏。详细的设计建议可参考产品手册中的相关章节。

    总结和推荐


    综合评估:
    - FCP11N60N / FCPF11N60NT 是一款性能卓越的N沟道SupreMOS® MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。
    - 其低导通电阻、超低栅极电荷和良好的温度稳定性使其成为高频开关电源设计的理想选择。
    - 强烈推荐在高性能、高可靠性的电子系统中使用该产品。
    最终结论:
    FCP11N60N / FCPF11N60NT 在高频开关电源、LED照明系统、太阳能逆变器及AC-DC电源供应器等领域具有明显的优势和广泛的应用前景。我们强烈推荐这款产品给那些寻求高性能和高可靠性的工程师和设计师。

FCPF11N60NT参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 299mΩ@ 5.4A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.505nF@100V
最大功率耗散 32.1W(Tc)
Id-连续漏极电流 10.8A
栅极电荷 35.6nC@ 10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FCPF11N60NT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCPF11N60NT数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCPF11N60NT FCPF11N60NT数据手册

FCPF11N60NT封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.8058 ¥ 15.1864
库存: 465
起订量: 333 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 15.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336