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FDPF10N60NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=600 V, 10 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: AV-S-FSCFDPF10N60NZ
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF10N60NZ

FDPF10N60NZ概述

    FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ N-Channel UniFET™ II MOSFET

    产品简介


    产品类型:
    FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ 是一款 N-Channel UniFET™ II MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件采用了先进的平面条纹和双扩散金属氧化物(DMOS)技术,提供高效的开关性能和高雪崩能量强度。
    主要功能:
    - 高达 600V 的漏源电压(VDS)
    - 漏极电流高达 10A
    - 典型导通电阻(RDS(on))为 0.64Ω
    应用领域:
    这些 MOSFET 适用于多种应用场景,包括:液晶显示 (LCD)、发光二极管 (LED) 和等离子显示面板 (PDP) 电视;照明系统;不间断电源系统 (UPS)。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 600V
    - 栅源电压 (VGSS): ±25V
    - 持续漏极电流 (ID): 10A (TC = 25°C), 6A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能 (EAS): 550mJ
    - 反复雪崩能 (EAR): 18.5mJ
    - 峰值二极管恢复 dV/dt: 10V/ns
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.64Ω (典型值, VGS = 10V, ID = 5A)
    - 栅电荷 (Qg): 23nC (典型值)
    - 输入电容 (Ciss): 1110pF (典型值)
    - 输出电容 (Coss): 130pF (典型值)
    - 反向传输电容 (Crss): 10pF (典型值)
    - 工作环境:
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 最大焊接温度: 300°C (1/8 英寸处持续 5 秒)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:
    FDP10N60NZ 的典型导通电阻仅为 0.64Ω(在 VGS = 10V, ID = 5A 下),有助于减少功率损耗并提高效率。
    - 低栅电荷:
    低栅电荷(典型值 23nC)使得器件更容易驱动,从而降低了开关损耗。
    - 改进的 dv/dt 能力:
    改进的 dv/dt 能力使得器件能够承受高电压瞬变,适用于高速开关应用。
    - 100% 雪崩测试:
    所有器件均通过 100% 雪崩测试,确保了可靠性和耐用性。
    - RoHS 合规:
    符合 RoHS 标准,适用于环保要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 液晶显示 (LCD) 和等离子显示面板 (PDP) 电视:
    在这些应用中,MOSFET 可以作为电源管理器件,用于实现高效能的电力转换。
    - 照明系统:
    在照明系统中,FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ 可以作为高效率的开关器件,用于控制电流,实现节能和长寿命的照明效果。
    使用建议:
    - 确保选择适当的散热器,以防止过热。
    - 在高频应用中,考虑 PCB 设计对电容特性的优化,以降低杂散电感的影响。
    - 在选择栅极驱动器时,注意栅极电荷的影响,以确保快速且稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ 与多种 PCB 尺寸和封装类型兼容,便于集成到不同设计中。
    - 支持:
    ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、开发工具和客户支持热线,确保用户能够顺利进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流过高导致器件发热严重。
    解决方案: 检查散热设计是否充分,确保良好的热传导和足够的散热面积。如果需要,更换更高效的散热器或添加风扇辅助冷却。
    - 问题: 开关频率过高导致电磁干扰 (EMI)。
    解决方案: 使用屏蔽线缆或接地屏蔽来降低 EMI 影响。此外,优化 PCB 布局,减少杂散电感和电容。
    - 问题: 设备在高温环境下运行时出现性能下降。
    解决方案: 在高温环境中使用时,考虑使用具有更低工作温度限制的型号或增强散热措施。

    总结和推荐



    总结

    :
    FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ N-Channel UniFET™ II MOSFET 是一款高性能的 MOSFET,具备低导通电阻、低栅电荷和优异的耐受性。它非常适合应用于高可靠性需求的电源管理、照明系统和电视应用。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐 FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ MOSFET 给需要高性能、高可靠性的电路设计者。

FDPF10N60NZ参数

参数
栅极电荷 30nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 5A,10V
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.475nF@25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 38W(Tc)
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 管装

FDPF10N60NZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF10N60NZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDPF10N60NZ FDPF10N60NZ数据手册

FDPF10N60NZ封装设计

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750+ $ 0.8317 ¥ 7.3609
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