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NTMFS5H409NLT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),140W(Tc) 20V 2V@ 250µA 89nC@ 10 V 1个N沟道 40V 1.1mΩ@ 50A,10V 41A,270A 5.7nF@20V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS5H409NLT3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5H409NLT3G

NTMFS5H409NLT3G概述

    NTMFS5H409NL MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTMFS5H409NL 是一款单片式N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它专为需要高效能和小尺寸的应用而设计,典型应用包括电源转换系统、电池充电器、电机驱动控制和其他高密度电源模块。其主要功能是作为开关元件,用于实现电流的高效切换。

    2. 技术参数


    以下是NTMFS5H409NL的主要技术参数:
    - 额定电压(VDSS):40V
    - 最大连续漏极电流(ID):在TC=25°C时可达270A,在TC=100°C时降至170A
    - 总功耗(PD):在TC=25°C时可达140W,在TC=100°C时降至56W
    - 栅极至源极电压(VGS):±20V
    - 热阻(RJC 和 RJA):分别为0.9°C/W和39°C/W
    - 击穿电压(V(BR)DSS):40V
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V、ID=50A时为0.85mΩ,在VGS=4.5V、ID=50A时为1.2mΩ
    这些参数显示了NTMFS5H409NL具有较高的连续电流能力和较低的导通电阻,能够显著降低电路中的能量损耗。

    3. 产品特点和优势


    NTMFS5H409NL的主要特点和优势如下:
    - 小型封装:采用5x6mm的小型封装,适用于紧凑设计。
    - 低导通电阻:RDS(on)值非常低,从而有效减少导通损耗。
    - 低栅极电荷和电容:QG和栅极电容较低,有助于减少驱动器损耗。
    - 无铅且符合RoHS标准:确保产品对环境友好,且在生产过程中不含有害物质。
    这些特点使得NTMFS5H409NL非常适合于需要高效率和小尺寸的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS5H409NL在各种应用中表现出色,如电源转换器、逆变器和电机控制等领域。为了获得最佳性能,建议按照以下步骤进行设计和安装:
    - 确保在操作过程中不超过最大额定值,避免因过载导致损坏。
    - 使用适当的散热设计来管理功耗和温度上升。
    - 在高电流应用中注意热管理和散热设计。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS5H409NL的封装为DFN5(SO-8FL),该封装可与其他类似的封装兼容,方便与其他组件集成。此外,制造商ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和售后服务,以帮助客户解决问题并优化使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册中提供的常见问题和解决方案,以下是可能遇到的一些问题及其解决方法:
    - 问题:设备出现过热现象
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计,确保设备处于安全的工作温度范围内。
    - 问题:设备无法正常启动
    - 解决方案:检查输入电压和电流,确认没有超出设备的额定范围;确保正确的接线和配置。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTMFS5H409NL是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的适用范围。其独特的技术优势使其成为许多现代电力电子系统的理想选择。我们强烈推荐在相关应用中考虑使用此产品。
    以上就是NTMFS5H409NL的技术手册详细解析,希望能为您的设计和应用提供有益的帮助。

NTMFS5H409NLT3G参数

参数
栅极电荷 89nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1mΩ@ 50A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 41A,270A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.7nF@20V
最大功率耗散 3.2W(Ta),140W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5H409NLT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5H409NLT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5H409NLT3G NTMFS5H409NLT3G数据手册

NTMFS5H409NLT3G封装设计

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