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FQD2N50TF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),30W(Tc) 30V 5V@ 250µA 8nC@ 10 V 1个N沟道 500V 5.3Ω@ 800mA,10V 1.6A 230pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FQD2N50TF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD2N50TF

FQD2N50TF概述

    产品简介:Fairchild Semiconductor FQD2N50 N-Channel QFET
    Fairchild Semiconductor 的 FQD2N50 是一款高性能的 N 沟道增强模式功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件采用了 Fairchild 公司专有的平面条纹 DMOS 技术制造,专门设计用于降低导通电阻(RDS(on)),提供出色的开关性能,并能够在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
    FQD2N50 主要应用于高效率开关电源、功率因数校正以及基于半桥电路的电子灯泡镇流器等领域。
    技术参数:
    - 额定电流:1.6A
    - 击穿电压:500V
    - 导通电阻(RDS(on)):5.3Ω (在 VGS = 10V 下)
    - 门极电荷(Qg):典型值为 6.0 nC
    - 反向传输电容(Crss):典型值为 4.0 pF
    - 开关速度:快
    - 100% 雪崩测试合格
    - dv/dt 能力增强
    产品特点和优势:
    1. 低导通电阻:低至 5.3Ω (在 VGS = 10V),显著提高电路的能效。
    2. 低门极电荷:典型值为 6.0 nC,有助于减少驱动能耗。
    3. 快速开关:快速的开关性能使其适用于高频应用场景。
    4. 高可靠性:100% 雪崩测试合格,确保在极端条件下的可靠运行。
    5. 优秀的 dv/dt 能力:增强了抗电磁干扰的能力。
    应用案例和使用建议:
    应用案例:
    FQD2N50 主要应用于多种电力电子应用中,例如:
    - 高效开关电源(如直流-直流转换器)
    - 功率因数校正(PFC)电路
    - 半桥电路的电子灯泡镇流器
    使用建议:
    - 温度管理:尽管器件具有较高的额定击穿电压和电流,但在实际使用过程中仍需注意散热管理,以避免过热。
    - 驱动电路设计:由于较低的门极电荷,FQD2N50 可以通过简单的驱动电路实现高效驱动。
    - 布局考虑:在 PCB 布局时,尽量缩短器件与驱动电路之间的连接距离,以减少寄生参数的影响。
    兼容性和支持:
    FQD2N50 采用 TO-252(DPAK) 封装形式,这种封装形式在市场上广泛兼容各种电源模块和电子系统。Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和详尽的应用文档,确保客户能够顺利进行设计和调试。
    常见问题与解决方案:
    1. 问题:如何处理开关损耗过高的问题?
    - 解决办法:增加栅极电阻,减缓开关速度,以降低损耗。
    2. 问题:开关过程中的电磁干扰(EMI)较高怎么办?
    - 解决办法:使用屏蔽技术,并选择合适的 EMI 滤波器来减少电磁干扰。
    总结和推荐:
    综合评估:
    FQD2N50 在其应用领域展示了卓越的性能。它不仅具备高效的导通特性和快速的开关性能,还经过严格的测试验证其可靠性。特别适合用于高效率和高频应用场景,如开关电源和功率因数校正。
    推荐意见:
    对于需要高性能 N 沟道 MOSFET 的电力电子系统,Fairchild Semiconductor 的 FQD2N50 是一个值得推荐的选择。其高效的特性、可靠的性能和广泛的适用范围使其成为市场上不可或缺的产品。

FQD2N50TF参数

参数
栅极电荷 8nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 230pF@25V
配置 独立式
最大功率耗散 2.5W(Ta),30W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 5.3Ω@ 800mA,10V
Id-连续漏极电流 1.6A
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FQD2N50TF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD2N50TF数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD2N50TF FQD2N50TF数据手册

FQD2N50TF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2957 ¥ 2.5453
500+ $ 0.293 ¥ 2.5221
1000+ $ 0.2848 ¥ 2.4064
5000+ $ 0.2848 ¥ 2.4064
库存: 776
起订量: 393 增量: 1
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