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FDD6030L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),56W(Tc) 20V 3V@ 250µA 28nC@ 5 V 1个N沟道 30V 14.5mΩ@ 12A,10V 12A,50A 1.23nF@15V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FL-FDD6030L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD6030L

FDD6030L概述


    产品简介


    FDD6030L是一款由ON Semiconductor公司生产的30V N-Channel PowerTrench MOSFET。这种MOSFET采用了Fairchild Semiconductor的高级PowerTrench工艺,旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(on)),同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。这款产品广泛应用于各种电源管理和电机驱动场景,例如DC/DC转换器和电机驱动系统。

    技术参数


    以下是FDD6030L的主要技术参数:
    - 电压参数
    - VDSS:30 V(漏源电压)
    - BVDSS:30 V(漏源击穿电压)
    - VGS(th):1 V到3 V(栅源阈值电压)
    - 电流参数
    - ID:12 A(最大连续漏极电流)
    - ID(on):50 A(开态漏极电流)
    - 电阻参数
    - RDS(ON):14.5 mΩ @ VGS = 10 V;21 mΩ @ VGS = 4.5 V(导通电阻)
    - IDSS:1 μA(零栅极电压时的漏源电流)
    - 温度参数
    - TJ, TSTG:-55°C至+175°C(操作和存储结温范围)
    - 其他参数
    - Ciss:1230 pF(输入电容)
    - Coss:325 pF(输出电容)
    - Crss:150 pF(反向转移电容)

    产品特点和优势


    FDD6030L具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(ON)仅为14.5 mΩ(@ VGS = 10 V),有助于提高功率转换效率。
    - 高可靠性:采用先进的PowerTrench工艺,确保了高度的可靠性和较长的使用寿命。
    - 高速开关性能:具备低栅极电荷,确保了快速的开关速度,适用于高频应用。
    - 优秀的散热性能:绝对最大额定值和热阻参数确保了良好的散热效果,延长了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    FDD6030L广泛应用于多种场合,如:
    - DC/DC转换器:用于高效转换不同电压等级的电源。
    - 电机驱动:适用于控制电动机的启动、停止及调速。
    使用建议:
    - 在选择散热方案时,需要考虑具体的电路板设计和工作环境,以确保最佳的散热效果。
    - 对于高频应用,应注意栅极电容和反向转移电容的影响,以避免高频信号干扰。
    - 在高温环境下使用时,注意监测器件的结温,并确保不超过其最大额定值。

    兼容性和支持


    FDD6030L在与大多数现有的电路板设计兼容的同时,ON Semiconductor提供了全面的技术支持和维护服务。用户可以通过其官方网站和技术支持热线获取详细的技术文档和支持信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 如何确定合适的散热方案?
    - 确保电路板有足够的散热面积,并选择合适的散热材料,如散热片或散热风扇。
    2. 如何改善高频应用中的信号完整性?
    - 优化布局设计,减少寄生电感和电容的影响,选用合适的滤波器。
    3. 在高温环境下使用时出现过热现象怎么办?
    - 检查散热措施是否得当,适当增加散热片面积或更换为更高效的散热材料。

    总结和推荐


    FDD6030L是一款高性能的N-Channel MOSFET,特别适合于高效率和高可靠性的电源管理和电机驱动应用。其低导通电阻、高速开关特性和优良的散热性能使其在市场上具备显著的竞争优势。对于寻求高效能转换解决方案的设计者和工程师而言,FDD6030L是不可多得的理想选择。

FDD6030L参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 14.5mΩ@ 12A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 28nC@ 5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.23nF@15V
最大功率耗散 3.2W(Ta),56W(Tc)
Id-连续漏极电流 12A,50A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDD6030L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD6030L数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD6030L FDD6030L数据手册

FDD6030L封装设计

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