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FDMC8882

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.3W(Ta),18W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 20nC@ 10V 1个N沟道 30V 14.3mΩ@ 10.5A,10V 10.5A,16A 945pF@15V MLP-8 贴片安装 3.3mm*3.3mm*730μm
供应商型号: 2083273
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMC8882

FDMC8882概述

    FDMC8882 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDMC8882 是一款由 ON Semiconductor 生产的高性能 N-Channel MOSFET(功率场效应晶体管),采用其专有的 POWERTRENCH™ 工艺制造。这种工艺通过最小化导通电阻(RDS(on))来提高器件的效率,特别适合于功率管理和负载开关应用。该器件广泛应用于笔记本电脑和便携式电池组中,尤其适用于直流-直流降压转换器中的高侧开关和电池电源管理。
    主要功能:
    - 高效开关控制。
    - 极低导通电阻,优化能效。
    - 兼容 RoHS 标准。
    应用领域:
    - 笔记本电脑和移动设备的电源管理系统。
    - 直流-直流降压转换器的高侧开关。
    - 负载开关电路。

    2. 技术参数


    以下是 FDMC8882 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | 30 V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 持续漏极电流 (ID) 16 A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) 14.3 | 22.5 | mΩ |
    | 结温范围 (TJ, TSTG) | -55 150 | °C |
    | 热阻 (RJA) | 53 °C/W |
    | 栅极电荷 (Qg(tot)) 14 | 20 | nC |
    其他关键参数还包括开关延迟时间、上升时间、下降时间和反向恢复时间等,具体可参考技术手册中的图表。

    3. 产品特点和优势


    FDMC8882 在多个方面展现了卓越的技术优势:
    - 低导通电阻:典型值为 14.3 mΩ(在 VGS=10V、ID=10.5A 条件下),显著减少功耗,提高效率。
    - 高可靠性:符合 RoHS 和无铅要求,确保环保合规。
    - 快速开关性能:具有短的开关延迟和快速的上升/下降时间,适合高频应用。
    - 紧凑封装:WDFN8 3.3x3.3 封装设计,节省 PCB 空间。
    这些特点使 FDMC8882 成为电源管理领域的优选器件,特别是在便携式设备和高性能计算平台中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑的电池充电和放电管理。
    - 用于 DC-DC 转换器中的高侧开关,提升系统效率。
    - 笔记本电脑的负载开关,实现灵活的电源分配。
    使用建议:
    - 在高频开关电路中,建议使用适当的栅极驱动器以降低开关损耗。
    - 确保 PCB 布局合理,避免寄生电感和杂散电容的影响。
    - 注意热设计,确保器件在高温环境下仍能稳定工作。

    5. 兼容性和支持


    FDMC8882 可与其他同类 MOSFET 和相关集成电路无缝协作,如控制器和驱动器芯片。ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括数据手册、应用笔记和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及解决方案:
    1. 问题:导通电阻偏高。
    - 解决方案:检查 VGS 是否达到阈值电压(典型值 1.9V),确保驱动信号足够强。
    2. 问题:开关速度慢。
    - 解决方案:增加栅极驱动电阻,优化驱动电路设计。
    3. 问题:过热现象。
    - 解决方案:改善散热设计,增加铜箔面积以增强热传导。

    7. 总结和推荐


    FDMC8882 是一款高效、可靠的 N-Channel MOSFET,以其低导通电阻和快速开关性能成为电源管理领域的佼佼者。无论是便携式设备还是高性能计算平台,它都能提供卓越的性能和稳定性。因此,我们强烈推荐这款产品作为电源管理应用的理想选择。
    最终评价:
    优点:
    - 低导通电阻,高能效。
    - 快速开关性能,适合高频应用。
    - 紧凑封装,节约 PCB 空间。
    结论:
    FDMC8882 MOSFET 是一个值得信赖的选择,适用于各种功率管理和负载开关需求。

FDMC8882参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.3W(Ta),18W(Tc)
Id-连续漏极电流 10.5A,16A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 945pF@15V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 20nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 14.3mΩ@ 10.5A,10V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*730μm
通用封装 MLP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMC8882厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMC8882数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMC8882 FDMC8882数据手册

FDMC8882封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 5.0901
10+ ¥ 3.8561
100+ ¥ 3.4551
500+ ¥ 3.3934
3000+ ¥ 3.3317
9000+ ¥ 3.3317
24000+ ¥ 3.3317
45000+ ¥ 3.3317
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