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NTMFS4939NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 920mW(Ta),30W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 28.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.5mΩ@ 30A,10V 9.3A,53A 1.954nF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: CY-NTMFS4939NT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4939NT1G

NTMFS4939NT1G概述

    NTMFS4939N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS4939N 是一款高性能的单片N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SO-8 FL封装形式。它被设计用于CPU电源管理和DC-DC转换器等应用。这款MOSFET的主要优势在于低导通电阻(RDS(on))、低电容和优化的栅极电荷,这些特性使其能够有效降低导通损耗、驱动损耗和开关损耗。此外,NTMFS4939N 符合无铅、无卤素/BFR自由和RoHS标准。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大漏电流 (ID): 15.7 A (TA = 25°C), 9.3 A (TA = 100°C)
    - 功率耗散 (PD): 2.58 W (TA = 25°C), 0.92 W (TA = 100°C)
    - 单脉冲漏极脉冲电流 (IDM): 159 A (TA = 25°C)
    - 连续工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 脉冲热阻 (RJA): 48.5°C/W (稳态)
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 4.1 mΩ @ 10 V, ID = 30 A
    - 6.0 mΩ @ 4.5 V, ID = 30 A
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):
    - 1 μA (TJ = 25°C)
    - 10 μA (TJ = 125°C)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 开启阈值电压 (VGS(TH)): 1.2 V 到 2.2 V
    - 转换增益 (gFS): 34 S (VDS = 1.5 V, ID = 15 A)
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 12.8 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V; ID = 30 A)
    - 反向恢复时间 (tRR): 35 ns (VGS = 0 V, dIS/dt = 100 A/μs, IS = 30 A)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: 最低可达4.1 mΩ @ 10 V,可显著降低导通损耗。
    - 低电容: 减少驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷: 有助于减少开关损耗。
    - 环保材料: 无铅、无卤素/BFR自由且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - CPU电源管理
    - DC-DC转换器
    - 使用建议:
    - 在使用时需注意散热,以确保MOSFET能在正常温度范围内运行。
    - 尽量避免过高的栅源电压,防止击穿。
    - 建议使用较大的散热面积以提高热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - NTMFS4939N 支持多种电路设计,适用于各种电源管理和转换器设计。
    - 支持:
    - ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和故障排除手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如增加散热片或强制风冷。
    - 问题: 导通电阻异常升高。
    - 解决方案: 检查焊接质量,确保MOSFET正确安装。

    7. 总结和推荐


    NTMFS4939N 是一款在功率管理和转换应用中表现出色的MOSFET。其低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷使其成为电源设计的理想选择。虽然价格较高,但其卓越的性能和可靠性使它在特定应用中值得推荐。总体而言,NTMFS4939N 是高性能电源设计的优秀选择。

NTMFS4939NT1G参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 28.5nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 9.3A,53A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 920mW(Ta),30W(Tc)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.954nF@15V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS4939NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4939NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4939NT1G NTMFS4939NT1G数据手册

NTMFS4939NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2295 ¥ 1.9754
1000+ $ 0.223 ¥ 1.8847
5000+ $ 0.223 ¥ 1.8847
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