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NVMFD5483NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W 20V 2.5V@ 250µA 23.4nC@ 10V 2个N沟道 60V 36mΩ@ 15A,10V 6.4A 668pF@25V DFN 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NVMFD5483NLT1G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLT1G概述

    NVMFD5483NL MOSFET – Power, Dual N-Channel 技术手册概览

    产品简介


    NVMFD5483NL 是一款来自 ON Semiconductor 的双N沟道功率MOSFET,设计用于紧凑型电路板布局。它具备低导通电阻(RDS(on))和低电容特性,从而在减小传导损耗和驱动损耗方面表现出色。适用于汽车、工业控制、电源管理和各种电子设备中的功率转换应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS 60 V |
    | 栅源击穿电压 | V(BR)DSS | 60 V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 栅阈电压 | VGS(TH) | 1.5 | 2.5 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 29 | 36 mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 668 pF |
    | 输出电容 | COSS | 152 pF |
    | 转移电容 | CRSS | 67 pF |
    | 总栅电荷 | QG(TOT) 23.4 nC |
    | 开关延迟时间 | TD(ON) | 6.8 ns |
    | 上升时间 | TR | 10.3 ns |
    | 关断延迟时间 | TD(OFF) | 37.5 ns |
    | 下降时间 | TF | 23.5 ns |
    | 反向恢复时间 | TRR | 30 ns |

    产品特点和优势


    - 小型封装(5x6 mm),适合紧凑型设计。
    - 低RDS(on),以最小化传导损耗。
    - 低电容,以减少驱动损耗。
    - 最高可达175°C的工作温度,适合高温应用环境。
    - NVMFD5483NLWF 型号提供浸焊翼设计,便于增强光学检查。
    - AEC-Q101认证和PPAP能力,确保在汽车和工业领域中的可靠性。

    应用案例和使用建议


    该产品可广泛应用于汽车电子、工业自动化、电源管理、电机驱动等领域。建议在选择该产品时,考虑其高可靠性、宽工作温度范围以及出色的电气特性。对于高温环境下的应用,可以充分利用其高温工作的优势,同时需要注意其最大工作电流限制,避免长时间过载运行导致热失控。

    兼容性和支持


    NVMFD5483NL 采用DFN8 5x6封装,具有良好的兼容性,可以方便地与其他标准封装的产品进行互换。此外,ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括应用指南、详细的数据手册和客户支持热线,帮助用户在应用中更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热设计,使用散热片或散热器。 |
    | 电流超出规格 | 避免长时间过流运行,适当降额使用。 |
    | 开关频率过高 | 调整电路设计,降低开关频率,或选择更高额定值的产品。 |
    | 反向恢复时间过长 | 考虑使用外部电路来优化反向恢复性能。 |

    总结和推荐


    NVMFD5483NL MOSFET 在紧凑设计、低损耗和宽工作温度范围方面表现卓越,特别适合在高可靠性要求的应用中使用。其独特的湿焊翼选项和高温工作的特性使其在严苛环境中依然保持稳定性能。如果您正在寻找一款在工业和汽车应用中可靠的双N沟道功率MOSFET,NVMFD5483NL 是一个值得推荐的选择。无论是设计紧凑的消费电子产品还是需要高可靠性的工业控制系统,这款产品都能提供出色的性能和价值。

NVMFD5483NLT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 6.4A
配置
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 668pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 15A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.1W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 23.4nC@ 10V
通道数量 2
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVMFD5483NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5483NLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFD5483NLT1G NVMFD5483NLT1G数据手册

NVMFD5483NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 0.6007 ¥ 4.9782
3000+ $ 0.5568 ¥ 4.6147
7500+ $ 0.5236 ¥ 4.3397
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