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FDMB3800N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi 数字晶体管, WDFN封装, 贴片安装
供应商型号: 2822534
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMB3800N

FDMB3800N概述

    # FDMB3800N 双N沟道PowerTrench® MOSFET:产品综述和技术手册

    产品简介


    FDMB3800N 是一款由onsemi公司生产的双N沟道PowerTrench® MOSFET,专为低电压和电池供电应用而设计。这款MOSFET具有极低的导通电阻(最大40毫欧),能实现快速开关,具有高性能的深槽工艺。FDMB3800N适用于需要高效能和低功耗的电子设备,特别适合于便携式设备、电信设备和其他需要高电流处理能力的应用场景。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极连续电流(ID):4.8A
    - 功率耗散(PD):1.6W(25°C时)
    热特性
    - 热阻抗,结到空气(RθJA):80°C/W(标准配置),165°C/W(最小配置)
    - 工作和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    导通电阻(rDS(on))
    - 在10V栅源电压下,漏极电流4.8A时:40毫欧
    - 在4.5V栅源电压下,漏极电流4.3A时:51毫欧
    动态特性
    - 输入电容(Ciss):350至465皮法
    - 输出电容(Coss):90至120皮法
    - 反向传输电容(Crss):40至60皮法

    产品特点和优势


    FDMB3800N 的核心优势在于其低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷,这使其非常适合用于需要高效能转换和低损耗的应用场景。采用高性能深槽工艺的FDMB3800N,不仅保证了在高电流下的稳定表现,还能够在宽温度范围内保持良好的性能。
    主要特点
    - 高速开关
    - 极低的栅极电荷
    - 高效的深槽工艺
    - RoHS合规
    - 大功率和高电流处理能力

    应用案例和使用建议


    应用场景
    FDMB3800N 主要应用于移动设备、电信设备和电源管理系统等。由于其优异的低电压和电池供电特性,该MOSFET能够有效降低系统功耗,提高能源效率。
    使用建议
    在使用FDMB3800N时,需注意其最大额定值和热管理要求。特别是在高电流和高温环境下,应确保适当的散热措施以防止过热。此外,合理的电路布局和布线也是关键,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    FDMB3800N 设计灵活,易于与其他电子元器件配合使用。onsemi提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地理解和利用该产品。同时,客户也可以联系onsemi的技术支持团队获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热方式,如液冷散热。
    2. 功耗过高
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,是否存在不必要的电流路径;优化负载条件,减少功耗。
    3. 开关速度慢
    - 解决方案:确认栅极驱动电路的设计,确保有足够的驱动能力;优化电路布局以减少寄生电容。

    总结和推荐


    FDMB3800N 是一款性能卓越的双N沟道MOSFET,尤其适用于需要高电流处理能力和低功耗的场合。其低导通电阻、高速开关和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用此产品,尤其是对于追求高效能和低功耗的电子系统。
    如果您对FDMB3800N 或其他onsemi的产品感兴趣,请访问 [onsemi官方网站](https://www.onsemi.com/) 获取更多信息。

FDMB3800N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 465pF@15V
栅极电荷 5.6nC@ 5V
Id-连续漏极电流 4.8A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1.6W
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 4.8A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置
长*宽*高 3mm*1.9mm*800μm
通用封装 MLP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMB3800N厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMB3800N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMB3800N FDMB3800N数据手册

FDMB3800N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.0665
10+ ¥ 5.3534
100+ ¥ 4.7966
500+ ¥ 4.6253
3000+ ¥ 4.6253
6000+ ¥ 4.6253
9000+ ¥ 4.6253
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