处理中...

首页  >  产品百科  >  FDMS001N025DSD

FDMS001N025DSD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 26W,42W 12V,16V 2.5V@ 320µA,3V@ 1mA 30nC@ 10V,104nC@ 10V 2个N沟道 25V 3.25mΩ@ 19A,10V,920µΩ @ 38A,10V 19A,69A,38A,165A 1.37nF@ 13V,5.105nF@ 13V PQFN-8 贴片安装
供应商型号: FL-FDMS001N025DSD
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS001N025DSD

FDMS001N025DSD概述

    FDMS001N025DSD 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

    1. 产品简介


    FDMS001N025DSD 是一款25V对称双N沟道MOSFET,专为高性能电源转换设计。它集成了两个专门设计的N沟道MOSFET,可以方便地放置和路由于同步降压转换器中。该产品特别适用于计算、通信及通用负载点电源系统中的高效电源管理。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 规格 |

    | 最大漏源电压 \(V{DS}\) | 25V (单脉冲可达30V峰值,持续时间不超过100ns) |
    | 漏极电流 \(ID\) | 连续:\(25°C\)时19A;\(100°C\)时17A |
    | 最大栅源电压 \(V{GS}\) | \(\pm16/\-12\)V |
    | 功率耗散(单次操作)\(PD\) | \(25°C\)时2.1W (Q1);2.3W (Q2) |
    | 热阻 \(R{JC}\) | 4.9°C/W (Q1);3.0°C/W (Q2) |
    | 热阻 \(R{JA}\) | 60°C/W (Q1);55°C/W (Q2) |

    3. 产品特点和优势


    FDMS001N025DSD 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:Q1在10V栅源电压下的最大导通电阻为3.25mΩ,Q2则为0.92mΩ。
    - 快速开关特性:该产品具有低电感封装,能够缩短开关时间和减少损耗。
    - 集成式设计:将控制MOSFET和同步SyncFET整合到同一封装内,便于优化布局并降低电路电感。
    - 环保材料:该器件无铅、无卤素,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    FDMS001N025DSD 适用于多种应用场景,如计算机电源管理、通信系统和通用负载点电源系统。实际应用中,该器件可以通过优化电路布局来进一步提高效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在选择外部电容和电感时,确保其与MOSFET匹配,以避免不必要的功率损耗。
    - 在高热环境下,注意热管理措施,如使用散热片或风扇。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他常见的电子元器件和设备具有良好的兼容性。供应商提供了详尽的技术支持文档和工程咨询服务,帮助用户解决各种应用问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:该产品在高温环境下运行会怎么样?
    - A: 在\(125°C\)的结温下,Q1的最大导通电阻为5mΩ,Q2的最大导通电阻为1.38mΩ。建议进行热管理以保持在合理的工作温度范围内。
    - Q:如何选择合适的外部电容和电感?
    - A: 参考应用笔记中的建议值,并根据具体应用调整参数。确保电容和电感在选定频率下有合适的容值和感值。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDMS001N025DSD 以其优异的电气性能、高效的开关特性和出色的热管理能力,成为了高性能电源转换的理想选择。强烈推荐给需要高效电源管理和紧凑设计的应用场景。

FDMS001N025DSD参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 320µA,3V@ 1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.37nF@ 13V,5.105nF@ 13V
Vgs-栅源极电压 12V,16V
栅极电荷 30nC@ 10V,104nC@ 10V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.25mΩ@ 19A,10V,920µΩ @ 38A,10V
最大功率耗散 26W,42W
通道数量 2
Id-连续漏极电流 19A,69A,38A,165A
Vds-漏源极击穿电压 25V
配置
通用封装 PQFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

FDMS001N025DSD厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS001N025DSD数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS001N025DSD FDMS001N025DSD数据手册

FDMS001N025DSD封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.8942 ¥ 7.5742
库存: 34954
起订量: 667 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.57
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0