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FCA35N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 312.5W(Tc) 30V 5V@ 250µA 181nC@ 10 V 1个N沟道 600V 98mΩ@ 17.5A,10V 35A 6.64nF@25V TO-3PN 通孔安装 16.2mm*5mm*20.1mm
供应商型号: FL-FCA35N60
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCA35N60

FCA35N60概述

    FCA35N60 N-Channel SuperFET® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCA35N60 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N-Channel SuperFET® 功率 MOSFET,专为高效率电源转换应用设计。它具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能,适合应用于太阳能逆变器、AC-DC 电源适配器、服务器电源及工业电源等领域。

    技术参数


    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 VDSS | 600 | V |
    | 栅源电压 VGSS | ±30 | V |
    | 连续漏极电流 ID | 35 | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 105 | A |
    | 雪崩能量 EAS | 1455 | mJ |
    | 关断延时 td(off) | 105 - 220 | ns |
    | 开启延时 td(on) | 34 - 78 | ns |
    | 有效输出电容 Coss(eff.) | 340 | pF |
    | 等效串联电阻 ESR | 1.4 | Ω |
    | 总栅极电荷 Qg | 139 - 181 | nC |
    | 栅极阈值电压 VGS(th) | 3.0 - 5.0 | V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.079 - 0.098 | Ω |

    产品特点和优势


    FCA35N60 具备以下独特功能和优势:
    1. 低导通电阻:RDS(on) 最低可达 0.079Ω,在相同条件下能显著降低功耗。
    2. 超低栅极电荷:Qg 只需 139 nC,有助于提高开关速度,降低热耗。
    3. 卓越的雪崩性能:能承受高达 1455 mJ 的雪崩能量,适用于严苛的应用环境。
    4. 优秀的温度系数:在 -55°C 至 150°C 温度范围内保持稳定的性能。
    5. 高效可靠:通过 100% 雪崩测试,确保长期可靠性。
    这些特点使其成为高功率转换应用的理想选择,特别是在要求高性能和高效率的场合中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 太阳能逆变器:FCA35N60 在太阳能逆变器中的应用可以有效提升转换效率,减少损耗。
    2. AC-DC 电源适配器:在需要高效能输出的应用中,如电信设备和服务器电源系统。
    使用建议:
    1. 优化散热设计:由于其高功耗特性,良好的散热设计是必要的,可使用合适的散热器或散热片。
    2. 考虑环境温度:根据工作环境选择合适的散热措施,确保在高温环境下正常运行。
    3. 选择适当的驱动电阻:RG 的选择直接影响开关速度和功耗,推荐选用适当的值以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    FCA35N60 采用 TO-3PN 封装,易于安装和维护。为了确保最佳性能,建议使用制造商提供的驱动电路参考设计。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻 RG,优化开关电路设计 |
    | 发热严重 | 改进散热设计,增加散热器 |
    | 高温下性能下降 | 使用适当额定值的 MOSFET |

    总结和推荐


    FCA35N60 N-Channel SuperFET® MOSFET 以其优异的性能、高效率和广泛的适用范围,成为高功率转换应用的理想选择。无论是在太阳能逆变器还是在工业电源系统中,它都能发挥出色的表现。我们强烈推荐 FCA35N60 在需要高可靠性、高效率的场合中使用。
    欲了解更多信息或获取技术支持,请访问 [ON Semiconductor 官网](https://www.onsemi.com)。

FCA35N60参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 35A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 312.5W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 98mΩ@ 17.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.64nF@25V
栅极电荷 181nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
长*宽*高 16.2mm*5mm*20.1mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FCA35N60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCA35N60数据手册

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FCA35N60封装设计

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