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NTMFS4C13NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 750mW(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 15.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 9.1mΩ@ 30A,10V 7.2A,38A 770pF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: CY-NTMFS4C13NT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C13NT1G

NTMFS4C13NT1G概述


    产品简介


    NTMFS4C13N MOSFET 是一款单通道N沟道增强型MOSFET,采用SO-8FL封装形式。这款MOSFET主要用于电源管理领域,特别是在CPU功率传输和DC-DC转换器中表现优异。它具有低导通电阻(RDS(on))和低电容特性,能够显著减少驱动损耗和开关损耗。此外,这些器件为无铅、无卤素和溴化阻燃剂(BFR),并且符合RoHS标准。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏源电压(VDSS):30 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流(TA = 25°C):13.0 A
    - 持续漏极电流(TA = 80°C):9.7 A
    - 脉冲漏极电流(TA = 25°C, tp = 10 µs):106 A
    - 功率参数:
    - 稳态功率耗散(TA = 25°C):2.46 W
    - 短时脉冲功率耗散(TA = 25°C, t ≤ 10 s):5.32 W
    - 温度范围:
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):7.3 mΩ @ 10 V, 9.1 mΩ @ 4.5 V
    - 输入电容(CISS):770 pF @ VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 15 V
    - 输出电容(COSS):443 pF
    - 门至源电荷(QGS):2.9 nC
    - 门至漏电荷(QGD):3.7 nC

    产品特点和优势


    NTMFS4C13N MOSFET 的主要特点包括:
    - 低RDS(on):最小化导通损耗,提高效率。
    - 低电容:减少驱动损耗,适合高频应用。
    - 优化的门电荷:降低开关损耗,提升整体性能。
    - 环保特性:无铅、无卤素、符合RoHS标准。
    这些特点使其成为高效能电源管理的理想选择,特别适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - CPU功率传输:NTMFS4C13N在CPU供电系统中能够提供稳定的电流传输和高效的能量转换。
    - DC-DC转换器:该器件在DC-DC转换器中能够有效减少能量损失,提高转换效率。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的功率耗散能力,在高电流条件下需要良好的散热措施,如加装散热片或使用散热膏。
    - 电路布局:确保源极和漏极的布线尽量短且直接,以减少寄生电感,提升开关速度和效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - NTMFS4C13N MOSFET 可与其他标准SO-8封装的MOSFET在电路板上兼容。
    支持和服务:
    - 提供详尽的技术文档和应用指南。
    - ON Semiconductor 官方技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 在高温环境下工作时,功率耗散如何变化?
    - A: 高温下功率耗散会增加,可能导致过热。建议使用良好的散热设计,如散热片和散热膏。
    2. Q: 该器件能否承受高电压冲击?
    - A: 可以承受高达30V的漏源电压。但在某些应用中可能需要额外的保护措施,如瞬态抑制二极管(TVS)。

    总结和推荐


    总体来说,NTMFS4C13N MOSFET是一款优秀的电源管理器件,以其出色的电气特性和稳定性在CPU功率传输和DC-DC转换器等领域表现出色。考虑到其卓越的性能和广泛的应用领域,强烈推荐使用此器件,尤其是在追求高效率和可靠性的应用场景中。对于设计工程师来说,充分考虑其电气特性和工作条件是保证其最佳性能的关键。

NTMFS4C13NT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 7.2A,38A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 15.2nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 770pF@15V
配置 独立式
最大功率耗散 750mW(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 9.1mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C13NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C13NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C13NT1G NTMFS4C13NT1G数据手册

NTMFS4C13NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1762 ¥ 1.5168
1000+ $ 0.1713 ¥ 1.4472
5000+ $ 0.1713 ¥ 1.4472
库存: 226211
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