处理中...

首页  >  产品百科  >  BSS138-G

BSS138-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 360mW(Ta) 20V 1.5V@1mA 2.4nC@ 10 V 1个N沟道 50V 3.5Ω@ 220mA,10V 220mA 27pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
供应商型号: AV-S-ONSBSS138G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) BSS138-G

BSS138-G概述

    BSS138 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 技术手册

    产品简介


    BSS138 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(FET),采用 onsemi 的高密度单元设计技术制造。该产品具有极低的导通电阻和快速开关性能,特别适用于低电压和低电流应用,例如小伺服电机控制、功率 MOSFET 门驱动器和其他开关应用。此外,BSS138 无铅且无卤素,采用紧凑的 SOT-23 表面贴装封装,符合现代电子设计的要求。

    技术参数


    - 最大耐压(VDSS):50 V
    - 最大栅源电压(VGSS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):0.22 A
    - 脉冲漏极电流(ID):0.88 A
    - 最大功耗(PD):0.36 W(温度超过 25°C 时每度降额 2.8 mW/°C)
    - 最大结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RJA):350 °C/W
    - 断态漏极-源极击穿电压(BVDSS):50 V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):在 VDS = 50 V 时为 0.5 μA,在 VDS = 30 V 时为 100 nA
    - 栅体漏电(IGSS):在 VGS = ±20 V 时为 ±100 μA
    - 阈值电压(VGS(th)):在 ID = 1 mA 时为 0.8 V 至 1.5 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 3.5 Ω,在 VGS = 4.5 V 时为 6.0 Ω
    - 关态漏极-源极击穿电压温度系数(BVDS(th)):-72 mV/°C
    - 栅阈值电压温度系数(BVGS(th)):-2 mV/°C
    - 输入电容(Ciss):在 VDS = 25 V,VGS = 0 V 时为 27 pF
    - 输出电容(Coss):13 pF
    - 反向传输电容(Crss):6 pF
    - 总栅极电荷(Qg):1.7 nC 至 2.4 nC
    - 开状态漏极电流(ID(on)):在 VGS = 10 V,VDS = 5 V 时为 0.2 A
    - 前进跨导(gFS):0.12 S
    - 上升时间(tr):9 ns 至 18 ns
    - 下降时间(tf):7 ns 至 14 ns
    - 导通延迟时间(td(on)):2.5 ns 至 5 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):20 ns 至 36 ns

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻(RDS(on)):VGS = 10 V 时为 3.5 Ω,在 VGS = 4.5 V 时为 6.0 Ω,适用于低电压应用。
    - 高密度单元设计:提高性能的同时保持紧凑尺寸。
    - 坚固可靠:适用于各种恶劣环境。
    - 无铅和无卤素材料:符合环保标准。
    - SOT-23 封装:小巧紧凑,易于安装。

    应用案例和使用建议


    - 伺服电机控制:用于驱动小型伺服电机,保证高效稳定的控制性能。
    - 电源管理:用于 MOSFET 驱动器,实现快速响应和高效率。
    - 开关电路:用于需要低电阻和快速切换的应用场景。
    使用建议:为了确保最佳性能,请遵循电气特性表中的测试条件,并根据实际应用选择合适的栅极电压和电流。同时,确保散热良好以避免过热现象。

    兼容性和支持


    BSS138 具有良好的兼容性,可广泛应用于各种电路设计中。onsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线资源、技术支持和产品文档。用户可通过官方网站获取详细的技术资料和支持信息。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下,BSS138 的导通电阻会如何变化?
    - A: 在高温下,BSS138 的导通电阻会略微增加。在 VGS = 10 V 时,导通电阻可达到 5.8 Ω,因此需要注意散热设计。
    - Q: BSS138 的漏极-源极击穿电压是多少?
    - A: BSS138 的漏极-源极击穿电压为 50 V。在使用过程中要确保电压不超过此值,以免损坏器件。
    - Q: 如何改善 BSS138 的散热效果?
    - A: 可以通过增大 PCB 散热面积、增加散热片或使用热界面材料来改善散热效果。

    总结和推荐


    BSS138 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 是一款高性能、高可靠性的电子元器件。其低导通电阻和快速开关性能使其成为许多低电压应用的理想选择。总体而言,该产品在小伺服电机控制和功率 MOSFET 门驱动器等方面表现优异,推荐使用。

BSS138-G参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 2.4nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 220mA
Vds-漏源极击穿电压 50V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5Ω@ 220mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
最大功率耗散 360mW(Ta)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 27pF@25V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSS138-G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

BSS138-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR BSS138-G BSS138-G数据手册

BSS138-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0575 ¥ 0.5089
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1526.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336