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FDT3612

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta) 20V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 100V 120mΩ@ 3.7A,10V 3.7A 632pF@50V SOT-223-4 贴片安装 6.5mm(长度)*3.5mm(宽度)
供应商型号: 1700642
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDT3612

FDT3612概述

    FDT3612 MOSFET – N-Channel 技术手册

    产品简介


    FDT3612 是一款专为改善 DC/DC 转换器效率而设计的 N-Channel MOSFET。它采用了先进的 POWERTRENCH 技术,具有更快的开关速度和更低的门极电荷。适用于同步或传统 PWM 控制器驱动的 DC/DC 转换器和电源管理电路。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大耐压 (VDSS): 100 V
    - 持续漏极电流 (ID): 3.7 A
    - 最大功耗 (PD): 3 W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 静态参数:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 120 mΩ @ VGS = 10 V
    - 130 mΩ @ VGS = 6 V
    - 动态参数:
    - 开关延迟时间 (td(on)): 8.5 ns
    - 开关上升时间 (tr): 2 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 23 ns
    - 关断下降时间 (tf): 4.5 ns
    - 总门极电荷 (Qg): 14 nC
    - 其他参数:
    - 输入电容 (Ciss): 632 pF
    - 输出电容 (Coss): 40 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 20 pF

    产品特点和优势


    - 高速开关:由于采用了 POWERTRENCH 技术,FDT3612 具有更快的开关速度和更低的门极电荷。
    - 低导通电阻:即使在高工作频率下,FDT3612 也能提供极低的 RDS(ON),提高整体效率。
    - 宽温度范围:工作温度范围广(-55°C 至 +150°C),适合各种恶劣环境的应用。
    - 无铅环保:符合无铅标准,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - DC/DC 转换器:作为电源转换电路的关键组件,FDT3612 可以显著提高系统的整体效率。
    - 电源管理:在电池充电和放电管理系统中,FDT3612 能够有效控制电流,确保系统稳定运行。
    - 使用建议:
    - 确保在规定的温度范围内使用,避免过热导致损坏。
    - 配置适当的散热措施,以保证良好的热稳定性。
    - 结合合适的驱动电路,以充分利用其高速开关的优势。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - FDT3612 采用 SOT-223 封装,易于与其他电子元器件集成。
    - 适用于广泛的电路板设计,特别是针对电源管理和转换器应用。
    - 支持:
    - ON Semiconductor 提供详细的技术文档和在线技术支持。
    - 客户可通过公司官网获得进一步的产品信息和帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何判断 FDT3612 是否已损坏?
    - A: 通过测量其导通电阻 (RDS(ON)) 或使用示波器检查其开关特性来判断。如果发现 RDS(ON) 明显增大或开关特性异常,则可能已经损坏。
    - Q: 在高温环境下使用时需要注意什么?
    - A: 确保散热良好,避免超过最高工作温度。可以考虑增加散热片或改进散热设计。

    总结和推荐


    FDT3612 MOSFET 是一款高效、可靠的 N-Channel MOSFET,适用于各种 DC/DC 转换器和电源管理应用。其快速开关、低导通电阻和宽温度范围使其成为系统效率提升的理想选择。对于需要高可靠性、高性能的电源管理应用,我们强烈推荐使用 FDT3612。

FDT3612参数

参数
最大功率耗散 3W(Ta)
Id-连续漏极电流 3.7A
配置 独立式双drain
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 3.7A,10V
栅极电荷 20nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 632pF@50V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
长*宽*高 6.5mm(长度)*3.5mm(宽度)
通用封装 SOT-223-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDT3612厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDT3612数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDT3612 FDT3612数据手册

FDT3612封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 3.3188
10+ ¥ 2.5143
100+ ¥ 2.2528
500+ ¥ 2.2125
4000+ ¥ 2.1723
12000+ ¥ 2.1723
32000+ ¥ 2.1723
60000+ ¥ 2.1723
库存: 4759
起订量: 20 增量: 0
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