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NVMFS5C612NLAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),167W(Tc) 20V 2V@ 250µA 91nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.36mΩ@ 50A,10V 38A,250A 6.66nF@25V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: 3368871
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C612NLAFT1G

NVMFS5C612NLAFT1G概述

    NVMFS5C612NL MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVMFS5C612NL 是一款单个N沟道功率MOSFET,由半导体组件工业公司(Semiconductor Components Industries, LLC)设计并制造。该产品主要用于紧凑型设计,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,可以有效减少传导和驱动损耗。此外,它还具备湿法边缘选项,增强了光学检测能力,并且符合AEC-Q101认证标准。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDSS):60V
    - 最大连续漏极电流(ID):250A(TC=25°C),175A(TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):900A
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 热阻(RJC):0.9°C/W(结至外壳)
    - 热阻(RJA):39°C/W(结至环境)
    - 阈值电压(VGS(TH)):1.2V ~ 2.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):1.36mΩ(VGS=10V, ID=50A)
    - 输入电容(CISS):6660pF(VGS=0V, f=1MHz, VDS=25V)
    - 输出电容(COSS):2953pF
    - 反向传输电容(CRSS):45pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):91nC(VGS=10V, VDS=30V, ID=50A)

    3. 产品特点和优势


    - 小型封装:采用5x6mm封装,便于集成于紧凑设计中。
    - 低导通电阻:最小1.36mΩ,减少了传导损耗。
    - 低栅极电荷:最小91nC,降低了驱动损耗。
    - 湿法边缘选项:提供了增强的光学检测能力。
    - 符合AEC-Q101认证:适用于汽车应用。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保材料,适用于现代电子设计。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFS5C612NL MOSFET 可广泛应用于各种电源转换和管理应用中,如开关电源、电机控制和电池管理系统等。在实际应用中,需要注意其温度和电流限制,确保在安全工作区域内运行。对于高功率应用,应考虑散热措施以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    该产品与大多数常见的直流和交流电源系统兼容。半导体组件工业公司提供详细的技术文档和支持,包括应用指南和常见问题解答。同时,客户可以通过技术支持热线获得进一步的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET温度过高。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保在安全工作区域内操作。
    - 问题:漏极电流超出额定值。
    - 解决方案:减小负载电流,确保不超过最大允许值。
    - 问题:导通电阻增加。
    - 解决方案:检查栅极电压是否足够高,确保MOSFET处于饱和区。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVMFS5C612NL MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,特别适合用于紧凑型设计和高要求的应用场合。其独特的功能和优势使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效能功率转换的应用,推荐使用该产品。
    希望以上内容对您有所帮助!如有更多问题,请随时联系技术支持。

NVMFS5C612NLAFT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
栅极电荷 91nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.36mΩ@ 50A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 38A,250A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.66nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C612NLAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C612NLAFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G数据手册

NVMFS5C612NLAFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 21.018
10+ ¥ 18.8321
100+ ¥ 18.4958
500+ ¥ 18.1596
1500+ ¥ 18.1596
3000+ ¥ 18.1596
库存: 2681
起订量: 3 增量: 0
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合计: ¥ 21.01
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