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NTH027N65S3F-F155

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NTH027N65S3F系列, Vds=650 V, 75 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2785468
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTH027N65S3F-F155

NTH027N65S3F-F155概述

    # NTH027N65S3F MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    NTH027N65S3F 是安森美半导体(onsemi)最新推出的高电压超级结(Super-Junction, SJ) MOSFET 家族的一部分。该系列产品利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。特别适合用于各种功率系统以实现小型化和更高效率。
    主要功能
    - 超低栅极电荷 (典型值:259 nC)
    - 极低的有效输出电容 (典型值:1972 pF)
    - 优化的反向恢复性能,可以移除额外的组件并提高系统可靠性
    应用领域
    - 电信/服务器电源供应
    - 工业电源供应
    - 电动汽车充电器
    - 不间断电源(UPS)/太阳能

    技术参数


    额定值
    - 漏源击穿电压:650 V @ 25°C,700 V @ 150°C
    - 栅源电压:±30 V
    - 连续漏极电流:75 A @ 25°C,60 A @ 100°C
    - 单脉冲雪崩能量:1610 mJ
    - 反复雪崩能量:5.95 mJ
    - MOSFET dv/dt:100 V/ns
    - 散热功率:595 W @ 25°C,每升高1°C降低4.76 W
    绝对最大额定值
    - 环境温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 最大引脚焊接温度:300°C(1/8"从管壳处焊接5秒)
    电气特性
    - 静态漏源导通电阻:23 mΩ @ 10 V,典型值 27.4 mΩ
    - 输入电容:典型值 7690 pF
    - 输出电容:典型值 200 pF
    - 有效输出电容:典型值 1972 pF
    - 总栅极电荷:典型值 259 nC
    - 门极至源极栅极电荷:典型值 72 nC
    - 门极至漏极栅极电荷:典型值 99 nC
    动态特性
    - 开启延迟时间:49 ns
    - 关闭延迟时间:131 ns
    - 反向恢复时间:168 ns

    产品特点和优势


    特点
    - 超低栅极电荷和有效输出电容:显著减少了开关损耗。
    - 快速反向恢复性能:提高了系统的整体可靠性。
    - 出色的低导通电阻:保证了较高的能效。
    - 高可靠性和耐久性:100% 雪崩测试通过,确保在极端条件下稳定运行。
    优势
    - 适用于多种电源系统:无论是电信、工业还是电动汽车,都能提供高效可靠的解决方案。
    - 优化设计:减少了额外组件的使用,进一步提升了系统的紧凑性和成本效益。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信/服务器电源供应:由于其出色的效率和可靠性,非常适合应用于这些关键的电源系统。
    - 工业电源供应:在高功率需求的应用中,NTH027N65S3F能够有效地减少能量损失,提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 合理散热:考虑到其高散热功率要求,确保良好的散热设计是必要的,例如采用大面积的散热片或风扇。
    - 合理布局:根据具体应用选择合适的封装和引脚配置,以确保最佳的电气性能和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与标准TO-247封装兼容:适用于广泛的现有设计和制造流程。
    支持
    - 详细订购和发货信息:见数据手册第2页。
    - 技术支持:访问安森美的在线支持网站获取更多资源和帮助。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    - Q: 如何确定适当的散热措施?
    - A: 根据数据手册中的热特性参数,计算出所需的散热面积和方法。通常需要考虑使用散热片或风扇来增强散热效果。

    - Q: 如何优化电路布局以提高性能?
    - A: 确保合理的电路布局,特别是电源和接地路径。避免不必要的寄生电感和电容,从而减少能量损失。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 出色的性能:低导通电阻和低栅极电荷使其成为高效率应用的理想选择。
    - 高可靠性:通过100%雪崩测试验证,能够在极端环境下稳定运行。
    - 优化设计:简化了系统设计,降低了成本。
    推荐
    - 总体评价:NTH027N65S3F MOSFET 在各种高功率应用中表现出色,特别是在需要高效、高可靠性的场合。因此,强烈推荐使用该产品。

NTH027N65S3F-F155参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 27.4mΩ@ 35A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 595W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@7.5mA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 259nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 75A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.69nF@400V
长*宽*高 15.87mm(长度)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

NTH027N65S3F-F155厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH027N65S3F-F155数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155数据手册

NTH027N65S3F-F155封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 150.6923
5+ ¥ 140.6461
10+ ¥ 138.1346
50+ ¥ 135.6231
100+ ¥ 135.6231
250+ ¥ 135.6231
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