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NDUL09N150CG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),78W(Tc) 30V 4V@1mA 114nC@ 10V 1个N沟道 1.5KV 3Ω@ 3A,10V 9A 2.025nF@30V TO-3PF-3 通孔安装 15.5mm*5.5mm*26.5mm
供应商型号: 15D-NDUL09N150CG
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDUL09N150CG

NDUL09N150CG概述

    # 产品技术手册:NDUL09N150C/D

    产品简介


    基本介绍
    NDUL09N150C/D 是一款高性能的N-沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和极高的击穿电压等特点,适用于多种高压应用领域,如工业控制、电源转换、电机驱动等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS):1500 V
    - 栅源电压 (VGSS):±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):9 A
    - 脉冲漏极电流 (IDP):18 A (PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1%)
    - 功率耗散 (PD):3.0 W (Tc=25°C)
    - 结温 (Tj):150 °C
    - 存储温度 (Tstg):−55 to +150 °C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):197 mJ
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):1500 V (ID=10mA, VGS=0V)
    - 零栅源漏电流 (IDSS):1 mA (VDS=1200V, VGS=0V)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100 nA (VGS=±30V, VDS=0V)
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2~4 V (VDS=10V, ID=1mA)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):2.2~3.0 Ω (ID=3A, VGS=10V)
    - 输入电容 (Ciss):2025 pF (VDS=30V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):222 pF
    - 反向转移电容 (Crss):66 pF
    - 导通延迟时间 (td(on)):33 ns
    - 上升时间 (tr):75 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):500 ns
    - 下降时间 (tf):111 ns
    - 总栅电荷 (Qg):114 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12 nC
    - 栅漏“米勒”电荷 (Qgd):57 nC
    - 正向二极管电压 (VSD):0.8~1.5 V (IS=6A, VGS=0V)
    - 反向恢复时间 (trr):1050 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):9010 nC (IS=6A, VGS=0V, di/dt=100A/μs)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻 (RDS(on)):确保在大电流下仍能保持低损耗。
    - 高开关速度:快速的开关性能适合高频应用。
    - 超高压设计:最高耐压可达1500V,适用于各种高压应用场合。
    - 100%雪崩测试:确保产品可靠性。
    - 无铅和RoHS合规:符合环保要求。
    市场竞争力
    NDUL09N150C/D在多个关键指标上表现出色,尤其是在高压应用场合,其卓越的耐压能力和低导通电阻使其在市场上具备很强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 工业控制:如伺服驱动器、逆变器等。
    - 电源转换:如DC-DC转换器、开关电源等。
    - 电机驱动:用于高压电机控制。
    使用建议
    - 在使用过程中,务必注意散热,避免因过热导致性能下降。
    - 配合合适的驱动电路以充分发挥其高速开关特性。
    - 确保使用环境满足规定的温度范围,避免超过存储温度极限。

    兼容性和支持


    兼容性
    NDUL09N150C/D 可与标准TO-3PF-3L封装的其他器件兼容。适用于需要极高耐压和快速开关特性的应用场合。
    支持
    ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、测试报告和应用指南。如需进一步支持,请访问官网或联系当地销售代表。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:如何确定最佳工作点?
    - 解决方案:参考电气特性表,根据具体应用需求选择合适的电压和电流参数。
    2. 问题:如何改善散热效果?
    - 解决方案:增加散热片或风扇,确保良好的空气流通,保持器件在适宜的工作温度范围内。
    3. 问题:反向恢复时间过长怎么办?
    - 解决方案:使用更小的Coss和Crss电容,或者采用更高效的驱动电路。

    总结和推荐


    产品评估
    NDUL09N150C/D是一款性能优异的高压功率MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和可靠的设计。特别适合于需要处理高压的应用场合,如工业控制、电源转换和电机驱动等。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐NDUL09N150C/D作为高压应用场合的理想选择。对于需要更高耐压和快速开关特性的项目,此产品无疑是最佳选择。

NDUL09N150CG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 1.5KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.025nF@30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 114nC@ 10V
最大功率耗散 3W(Ta),78W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 3A,10V
配置 独立式
通道数量 1
长*宽*高 15.5mm*5.5mm*26.5mm
通用封装 TO-3PF-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 管装

NDUL09N150CG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDUL09N150CG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDUL09N150CG NDUL09N150CG数据手册

NDUL09N150CG封装设计

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